发明专利 已授权

一种基于磁表面等离子的太赫兹连续超表面器件及其应用

📄 申请号:CN202511613239.0 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2025-11-06
公开号
CN121050107B
公开日
2026-02-17
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

太赫兹通信, 太赫兹成像, 太赫兹传感, 光谱检测, 电磁波调控

摘要

一种基于磁表面等离子的太赫兹连续超表面器件及其应用,该器件以电不透明层、介质层、磁化半导体层从上而下依次水平叠加的单向波导为基底,通过连续函数模型调制电不透明层厚度,并在波导中引入金属片阵列形成。本发明还涉及该器件在生成艾里光束中的应用。本发明支持基于磁表面等离子的太赫兹单向传输。本发明可通过调节金属片的高度实现相位调控,还可通过连续函数模型对辐射层的厚度连续调制实现连续振幅调控。与依赖离散结构的超构表面相比,本发明能够降低能量损耗与波前失真,提升波束调控精度与稳定性。依托上述特性,本发明生成了具有自加速、无衍射和自愈性特性的一维有限艾里光束。

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图2
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