专利交易市场

本发明揭示了小型化双层基片集成波导六端口器件，包括叠合放置且相互贴合的顶层介质基片、底层介质基片及中间层金属层，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片与底层介质基片上均设置有两组相互对称的金属化通孔，金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片及中间层金属层构成第一基片集成波导；金属化通孔与底层金属层、底层介质基片及中间层金属层构成第二基片集成波导；顶层金属层上设置有三个端口并设置有多个互补的开口谐振环；中间层金属层上开设有两排相互对称的圆孔；底层金属层上设置有三个端口。本发明设计结构简单，六端口稳定输出工作带宽大，结构紧凑，降低了加工难度与加工成本且体积减小。

本发明公开了一种圆形基片集成波导带通滤波器。该滤波器包括上层金属贴片、介质基片、下层金属贴片；所述上层金属贴片的中部为圆形贴片，圆形贴片中心设有一个金属通孔，其上、下两侧分别设置两个金属通孔；圆形贴片的左、右两侧分别通过第一、第二共面波导过渡为第一、第二微带线，并分别连接输入端、输出端；圆形贴片上、下两侧分别连接矩形贴片，圆形贴片中沿着圆周边线、矩形贴片中沿着不与圆形贴片连接的三侧边线分别设金属通孔；圆形贴片上刻蚀4组第一、第二矩形槽和圆弧形槽，第一、第二矩形槽沿着圆形贴片的径向设置，将圆形贴片均分成四部分。本发明滤波器具有体积小、重量轻的优点，且保证了较好的带外抑制，通带频率选择性好。

本发明公开了一种基于SIW和FSIW的模式复合传输线，包括顶层金属层、中间金属层、底层金属层，介质层，金属化通孔阵列和侧壁窗口；顶层金属层、底层金属层、以及X轴向的两排金属化通孔阵列共同构建了SIW；中间金属层中的矩形金属、顶层金属层、底层金属层以及X轴向的两排金属化通孔阵列共同构建了FSIW；FSIW通过梯形渐变器连接到50欧姆带状线，并从侧壁串口引出。本发明的结构完全封闭，具有带宽大、损耗低、电磁屏蔽性好等优点，能够利用TE10模和Folded‑TE10模并行传输两个高频段信号，并基于模式之间的正交性实现模式隔离。

本发明提供三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，包括介质基片，介质基片的上下两个表面为金属敷层且介质基片两侧设置有金属化通孔阵列；介质基片的上表面金属敷层上设置有N个与其通过缺口电气连接的金属贴片，N个金属贴片、缺口和金属化通孔的组合构成环‑伞形立体阻抗网络，金属化通孔连接设置在下表面金属敷层的蛇形阻抗网络，蛇形阻抗网络包括横向蛇形线以及与其连接的纵向微带线，相邻的横向蛇形线以及纵向微带线对应连接。本发明可实现电场和磁场的双向分离，使基片集成波导获得更强烈的慢波效应，进而能够减小横向尺寸，获得更良好的小型化效果。

本发明公开了一种单输入端口的SIW馈电结构以及天线阵列，馈电结构包括TE10模SIW和TE20模SIW，TE10模SIW包括朝向第一方向的N级功分臂，TE20模SIW包括2N个TE20模SIW腔，TE10模SIW与TE20模SIW之间形成有2N个第一耦合缝隙耦合，2N个TE20模SIW腔顶部形成有与之对应的2N组第二耦合缝隙，每一组由M对第二耦合缝隙组成；2N个最后级功分臂的后端弯折到第二方向，2N个第一耦合缝隙与2N个最后级功分臂对应、且还与2N个TE20模SIW腔对应，第一耦合缝隙距离与之对应的最后级功分臂的后端弯折部分的端部半个波导波长的水平距离以提供2N路反相信号，每一路反相信号馈入对应的TE20模SIW腔后再经由对应的M对第二耦合缝隙输出，以激励辐射单元阵形成天线阵列。

本发明公开了一种基片集成非辐射介质波导阶梯型功分器，是一种由一层共面波导到槽线的过渡结构和三层基片集成非辐射介质波导构成的等分功分器。基片集成非辐射介质波导通过在三层介质板上设计对称阵列式空气通孔实现；共面波导到槽线的过渡结构集成在中间层介质板上，通过三角形渐变结构接入基片集成非辐射介质波导；设计两个对称空气通孔，和三角形渐变结构一起实现阻抗匹配；设计一排空气通孔，实现等分功分器。本发明能顺利实现由共面波导到槽线的过渡结构接入基片集成非辐射介质波导，激励起辐射性能更优良的高阶模，从而形成了等分功分器，同时实现了微波毫米波混合集成多层电路，有利于毫米波频段电路的发展，制作工艺简单，成本低廉。

本发明公开了一种加载PIN管的基片集成波导可调滤波器，包括从上到下依次层叠的第一金属覆铜层(1)、介质基片(2)、第二金属覆铜层(3),金属化通孔阵列(4)形成左右对称的长方形可调谐振腔一(61)、谐振腔二(62)。上表区域(11)内部有两组横向槽(15)，每组横向槽(15)内部有两个焊盘一(16)、两个焊盘二(17)，贴片电容(51)的管脚分别与上表区域(11)、焊盘一(16)焊接，PIN二极管(52)的阳极、阴极分别与焊盘一(16)、上表区域(11)焊接，贴片电感(53)的管脚分别与焊盘一(16)、焊盘二(17)焊接，形成调谐电路，每条横向槽(15)上分布两组调谐电路。本发明调谐电压低，损耗小的优点，能用于多频段通信系统中。

本发明提供了一种基于强化学习的基片集成波导参数优化方法及结构，方法包括如下步骤：对待优化基片集成波导进行参数提取：参数包括阻抗网络中阻抗单元的偏转角度θ，以及加载其上的结构参数L；根据Q‑learning算法，基于强化学习中的ε贪婪策略，以参数夹角θ和尺寸L做范围变化并代入三维电磁场仿真软件进行变量仿真测试，得到参数对应的奖励值或惩罚值；根据所述参数对应的奖励值或惩罚值，得到最优参数。本发明在线下利用深度学习算法学习到最优的基片集成波导优化参数，然后在线上优化时使用，以快速得到给定设计参数及设计目标下最优的优化参数，提高了基片集成波导设计效率。