发明专利已授权

单输入端口的SIW馈电结构以及天线阵列

📄 申请号：CN201910649780.5 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2019-07-18

公开号

CN110429383B

公开日

2020-09-15

申请人

南通大学技术转移中心有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01Q1_50

IPC 分类号

H01Q1_50 , H01Q21_00 , H01Q1_48 ,

技术画像

所属领域

基片集成波导基片集成波导天线阵列馈电结构

应用场景

5G通信, 毫米波通信, 雷达系统, 卫星通信, 无线通信设备

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摘要

本发明公开了一种单输入端口的SIW馈电结构以及天线阵列，馈电结构包括TE10模SIW和TE20模SIW，TE10模SIW包括朝向第一方向的N级功分臂，TE20模SIW包括2N个TE20模SIW腔，TE10模SIW与TE20模SIW之间形成有2N个第一耦合缝隙耦合，2N个TE20模SIW腔顶部形成有与之对应的2N组第二耦合缝隙，每一组由M对第二耦合缝隙组成；2N个最后级功分臂的后端弯折到第二方向，2N个第一耦合缝隙与2N个最后级功分臂对应、且还与2N个TE20模SIW腔对应，第一耦合缝隙距离与之对应的最后级功分臂的后端弯折部分的端部半个波导波长的水平距离以提供2N路反相信号，每一路反相信号馈入对应的TE20模SIW腔后再经由对应的M对第二耦合缝隙输出，以激励辐射单元阵形成天线阵列。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种保温锅底

当前第 / 件

差分输入端口的SIW馈电结构以及天线阵列

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