发明专利已授权

一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法

📄 申请号：CN201910414264.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-05-17

公开号

CN110016720B

公开日

2020-06-12

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B30_00

IPC 分类号

C30B30_00

技术画像

所属领域

光子晶体光子晶体微纳制造光学材料

应用场景

光通信, 光学传感器, 光子集成, 光计算, 显示技术

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摘要

本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括：S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热‑声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题，引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置，从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构，为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20251028

?? 专利权的转移：

20240906

?? 专利权的转移：

20200612

✅ 授权

20190809

?? 实质审查的生效：

20190716

📄 公开

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