本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种细晶氧化铝陶瓷及其制备方法和应用，所述细晶氧化铝陶瓷是将Al2O3粉体与烧结助剂MgO和Y2O3混料，加入溶剂以Al2O3球为球磨介质混合，干燥后得Al2O3-MgO-Y2O3混合粉体，将所得Al2O3-MgO-Y2O3混合粉体通过冷等静压成型获得坯体后，所述坯体放入氧化铝坩埚中，在空气气氛下，升温Ⅰ至1000～1500℃，并1250℃保温1～5h，再升温Ⅱ至1300～1800℃后直接降温进行两步烧结制得。本发明的氧化铝陶瓷晶粒具有更小的尺寸，晶粒更加致密。
📄 2018111742662
📂 C04B35_10
👤 广东工业大学
📅 2018-10-09
本发明属于超高温陶瓷技术领域，公开了一种高热导率硼化锆陶瓷及其制备方法和应用，所述硼化锆陶瓷是以ZrB2为原料，B2O3为催化剂，添加B和C烧结助剂后混合，得到ZrB2‑B2O3‑B‑C混合粉体，再将该混合粉体过筛，在热压烧结制得。该方法具有工艺简单、成本低等优点，制备的ZrB2陶瓷具有高热导率，其相对密度大于95％，热导率大于100W/(m·k)，能够用于航空航天领域中，特别有望适用于高超声速飞行器的鼻锥和机翼前缘关键部位。
📄 2018106617836
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-06-25
本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种具有多元高熵的陶瓷及其制备方法和应用。该陶瓷是以Me1的氧化物、Me2的氧化物、Me3的氧化物、Me4的氧化物、Me5的氧化物和无定型硼粉为原料，球磨混合后压制成坯体；放入石墨坩埚中进行真空热处理得(Me1xMe2yMe3zMe4nMe5m)B2固熔体粉体；采用放电等离子烧结将上述固熔体粉体升温至1000～1400℃时充入保护气氛，然后升温至1800～2200℃煅烧制得。所得多元高熵陶瓷的相对密度>95％，硬度为25～35GPa，断裂韧性为2～8MPa·m1/2，晶粒尺寸为0.1～1.1μm，经1000℃～1500℃热处理后重量变化率为0.3～1％。
📄 201811196871X
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-10-15
本发明属于于陶瓷材料技术领域，公开了一种原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷及其制备方法和应用，所述氮化硅/硼化锆复相陶瓷是将预氧化的ZrB2、Si粉和烧结助剂MgO‑Y2O3经混料，干燥后得到Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3混合粉体；将混合粉体进行造粒和成型，再采用冷等静压制得Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3坯体；将坯体在氮气气氛下，升温至1300～1450℃烧结，然后升温至1500～1600℃烧结并保温制得。本发明方法所制备的Si3N4‑ZrB2复相陶瓷的相对密度为95～99％，硬度为18～25GPa，断裂韧性为10～15MPa·m1/2，抗弯强度为800～1200MPa。
📄 2019107747634
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2019-08-21
本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种高韧性的ZrN陶瓷及其制备方法和应用。该方法是将ZrN粉体在空气中250～400℃氧化，在ZrN表面形成薄的ZrO2层，纳米Al2O3粉体在1100～1300℃煅烧，得到枝状Al2O3粉体；再将氧化后的ZrN粉体与枝状Al2O3粉体机械混合，得到混合粉体；将混合粉体预压成型，在气氛或真空下，升温至1600～1800℃，加压20～60MPa，经热压烧结或放电等离子烧结，制得ZrN陶瓷。该ZrN陶瓷的致密度在97％以上，韧性为7～9.3MPa·m1/2，热导率为8.6～11W·(m‑1·K‑1)，可应用在核能领域中。
📄 2023117092175
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2023-12-13
本发明提供的是一种基于压电陶瓷的透射式增强型相位显微成像测量系统。其特征是：它由激光光源1、光衰减片2、激光扩束镜3、压电陶瓷4、F-P干涉仪5、显微物镜6、探测相机7、计算机8组成。本发明可用于微小物体的数字全息和折射率测量，可广泛用于各种微小物体内部的折射率三维显微成像领域。
📄 2019110919123
📂 G03H1_02
👤 桂林电子科技大学
📅 2019-11-08
本发明属于天线技术领域，具体涉及一种基于嵌入式陶瓷和堆叠介质谐振器的磁电互补天线，包括复合结构介质谐振器天线、方形印刷电路板以及凹形印刷电路板；复合结构介质谐振器天线包括第一高介电常数陶瓷块、低介电常数介质块和四个第二高介电常数陶瓷块，四个第二高介电常数陶瓷块均匀嵌入低介电常数介质块的侧面，第一高介电常数陶瓷块设置在低介电常数介质块的正上方；方形印刷电路板的上表面设置有金属层，下表面设置一对叶片状贴片金属层；凹形印刷电路板垂直设置在方形印刷电路板的下方；本发明采用嵌入堆叠结构与磁电互补结构构建了一种新型谐振器天线，能够实现宽阻抗带宽、高增益、高前后比和高交叉极化鉴别率。
📄 2022115818050
📂 H01Q9_04
👤 重庆邮电大学
📅 2022-12-09
本实用新型公开了一种陶瓷薄板裁切用碎屑收集装置，包括底板，所述底板顶部的两侧均固定连接有支撑框，所述底板的顶部设置有连接板。本实用新型由圆盘移动带动连接杆向内侧移动，连接杆向内侧移动带动放置板和清理刷移动，清理刷移动可将底板顶部的废料进行清理，当底板出现较为顽固的废料时，使用者可旋转螺杆，螺杆旋转带动可带动清理刷向顶部移动进入到放置槽内部，然后让放置板对底板顶部顽固废料进行清理，然后使用者可启动风机，风机启动通过吸气头将底板顶部的部分废料吸取，吸气头再将内部的废料输送到L型管内部，L型管再将内部的废料输送到U型框的内部，从而达到了收集裁切机裁切废料的优点。
📄 2023229405867
📂 B28D1_22
👤 安徽兆益节能科技有限公司
📅 2023-10-30
本发明提供了一种氮化硅和硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，包括以下步骤：S1：利用聚合物转化法制备得到不同硅硼元素比例的非晶陶瓷粉体；S2：将步骤S1制备得到的非晶陶瓷粉体进行预加工处理后得到原料块体；S3：将所述步骤S2得到的所述原料块体通过金属钼箔包裹后装入六面顶压机的合成腔室中，进行加热加压并保温保压，之后冷却卸压，得到非晶氮化硅和硼掺杂氮化硅基陶瓷材料。通过本发明制备而得的非晶陶瓷具备较高的硬度，本发明方法大大降低了氮化硅和氮化硅基非晶陶瓷制备的苛刻条件、成本和周期，并为其它非晶陶瓷材料的制备提供了参考。
📄 202410265790X
📂 C04B35_593
👤 宁波大学
📅 2024-03-08
本实用新型公开了一种具有PTC发热线的发热装置，包括底板和罐体，以及设置于罐体上的密封机构和散热机构；密封机构包括密封圈以及罐盖，罐体上表面开设有安装槽；散热机构包括散热支架、散热电机、散热转轴、散热转扇以及导热管，散热支架一端与底板上表面连接，散热电机安装于散热支架上表面，散热转轴一端与散热电机输出端连接，散热转扇安装于散热转轴另一端，导热管穿设于罐体周侧面；本实用新型通过密封圈与罐盖配合使用，避免罐体内部的热量进行散发，提高其封闭效果和设备的保温性能；同时利用散热电机转动带动散热转扇转动，散热转扇转动产生风力，加快内部的热量散发，同时使其热量散发更加均匀，大大提高了设备的发热效率与发热性能。
📄 2021213318874
📂 F24D13_02
👤 上海剑剑电线电器有限公司
📅 2021-06-16
本实用新型提供一种陶瓷头罩加工设备，涉及陶瓷头罩技术领域，包括打磨机，所述打磨机的顶端安置有打磨盘，所述打磨机的两侧连接有支撑座，且支撑座的顶端连接有吸尘组件，所述打磨机的后端连接有夹持组件；所述夹持组件包括电动伸缩杆、半弧架、连接环和固定螺丝，所述打磨机的后端连接有电动伸缩杆，且电动伸缩杆的顶端连接有半弧架，且半弧架的中部连接有连接环，所述半弧架与连接环的中部穿设有固定螺丝，通过开启电动伸缩杆，可将半弧架离陶瓷头罩的距离进行调控，将半弧架向连接环的两侧拉伸，可将夹持组件的内径进行扩大处理，可用于夹持不同大小的陶瓷头罩，对其进行加工处理，最后通过固定螺丝穿设在半弧架与连接环进行定位锁紧。
📄 2023219050651
📂 B24B9_06
👤 天驷工业陶瓷(苏州)有限公司
📅 2023-07-19
本实用新型涉及陶瓷器生产技术领域，提出了一种陶瓷生产用素烧辊道窑加热装置，包括辊道窑、陶瓷放置架和加热组件，辊道窑包括安装底座和安装罩，安装底座上安装有高温辊，底座内安装有动力组件，动力组件可以控制高温辊转动，安装罩固定安装在安装底座的上端面，加热组件安装在安装罩的前端面，加热组件可以对安装罩内进行加热，陶瓷放置架放置在高温辊的上端面，陶瓷放置架等间距放置有多个；通过上述技术方案，解决了现有技术中的通过炉子对辊道窑进行加热能源消耗大、通过喷火器对辊道窑进行加热适用性低的问题。
📄 202122119766X
📂 F27B9_24
👤 高邑汇德陶瓷有限公司
📅 2021-09-03
柿子坊 · 知识产权运营
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