本发明公开了一种Cu2+、Ta5+和F‑共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为(Cu1/3Ta2/3)0.1Ti0.9‑x/4O2‑xFx，其中x的取值为0.04～0.064，本发明通过配料、球磨、预烧、二次球磨、过筛、压片、气氛烧结、空气退火制备而成；本发明制备工艺简单、产率高、重复性好、成本低，所得陶瓷材料都获得巨介电性能，其中，x＝0.052时，其介电常数为1130，损耗为0.04，温度稳定性达到X9F(Δεr/ε25℃:‑55℃‑200℃≤±7.5％)。
📄 202411937899X
📂 C04B35_46
👤 陕西科技大学
📅 2024-12-26
本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种具有多元高熵的陶瓷及其制备方法和应用。该陶瓷是以Me1的氧化物、Me2的氧化物、Me3的氧化物、Me4的氧化物、Me5的氧化物和无定型硼粉为原料，球磨混合后压制成坯体；放入石墨坩埚中进行真空热处理得(Me1xMe2yMe3zMe4nMe5m)B2固熔体粉体；采用放电等离子烧结将上述固熔体粉体升温至1000～1400℃时充入保护气氛，然后升温至1800～2200℃煅烧制得。所得多元高熵陶瓷的相对密度>95％，硬度为25～35GPa，断裂韧性为2～8MPa·m1/2，晶粒尺寸为0.1～1.1μm，经1000℃～1500℃热处理后重量变化率为0.3～1％。
📄 201811196871X
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-10-15
本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种超细高熵固熔体粉末及其制备方法和应用。所述固熔体粉末是将金属氧化物和无定型硼粉为原料粉体，加入溶剂和球磨介质进行混合，干燥后得到混合粉体，将混合粉体模压制成的混合粉末坯体，在真空条件下进行热处理，先升温至800～1200℃保温Ⅰ，再升温至1400～1600℃保温Ⅱ，经研磨过筛制得，所述氧化物为HfO2、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5、Cr2O3、TiO2或MoO3中的一种以上，所述金属氧化物中金属原子间的摩尔比相同。该固熔体粉末存在均一固熔体相，具有颗粒尺寸小，组分均匀稳定的优点。
📄 2018111968758
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-10-15
本发明属于于陶瓷材料技术领域，公开了一种原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷及其制备方法和应用，所述氮化硅/硼化锆复相陶瓷是将预氧化的ZrB2、Si粉和烧结助剂MgO‑Y2O3经混料，干燥后得到Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3混合粉体；将混合粉体进行造粒和成型，再采用冷等静压制得Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3坯体；将坯体在氮气气氛下，升温至1300～1450℃烧结，然后升温至1500～1600℃烧结并保温制得。本发明方法所制备的Si3N4‑ZrB2复相陶瓷的相对密度为95～99％，硬度为18～25GPa，断裂韧性为10～15MPa·m1/2，抗弯强度为800～1200MPa。
📄 2019107747634
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2019-08-21
本发明提供了一种氮化硅和硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，包括以下步骤：S1：利用聚合物转化法制备得到不同硅硼元素比例的非晶陶瓷粉体；S2：将步骤S1制备得到的非晶陶瓷粉体进行预加工处理后得到原料块体；S3：将所述步骤S2得到的所述原料块体通过金属钼箔包裹后装入六面顶压机的合成腔室中，进行加热加压并保温保压，之后冷却卸压，得到非晶氮化硅和硼掺杂氮化硅基陶瓷材料。通过本发明制备而得的非晶陶瓷具备较高的硬度，本发明方法大大降低了氮化硅和氮化硅基非晶陶瓷制备的苛刻条件、成本和周期，并为其它非晶陶瓷材料的制备提供了参考。
📄 202410265790X
📂 C04B35_593
👤 宁波大学
📅 2024-03-08
本发明涉及陶瓷加工技术领域，更具体的说是一种陶瓷材料及其制备工艺，包括以下步骤：步骤一、陶瓷壳倒置使自身的开口朝上；步骤二、陶瓷壳内部水平端面的四周处覆涂粘剂；步骤三、通过陶瓷材料加工装置使内框贴固于陶瓷壳的粘剂上，内框的上端设置有内螺纹孔；步骤四、底壳盖于陶瓷壳上，且底壳的边缘位于陶瓷壳边缘的内侧，使得底壳朝下时，陶瓷壳能够完全遮盖底壳，底壳上设有与内螺纹孔能够导通的通孔，通过螺丝穿过通孔旋入内螺纹孔，以将底壳固接在内框上。该陶瓷材料的外观是以陶瓷为主体，底座为耐磨磕碰的金属，适合计算机输入设备如键盘或陶瓷艺术品使用，以提高其耐用性。
📄 2023113285200
📂 F16B11_00
👤 刘英豪
📅 2023-10-14
本发明提供了一种新的高储能性能介质陶瓷材料，其化学计量式为(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-x BaHfO3。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法，将BaHfO3添加到Na0.5Bi0.5TiO3中，通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-x BaHfO3 ((1-x) NBT-x BH)陶瓷样品。本发明提供的(1-x) NBT-x BH高储能性能介质陶瓷材料制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，提供了一种新的无铅的储能材料基体。
📄 2018115326789
📂 C04B35_475
👤 深圳万知达科技有限公司
📅 2018-12-14
本发明涉及一含加硼的玻璃结构紧密的铌酸盐基储能玻璃陶瓷材料及其制备方法，该微晶玻璃材料是由玻璃相和晶相经混合、熔融、冷却成型、退火及晶化热处理制得的；其中，晶相是由摩尔比为7:1:8的K2CO3、Na2CO3及Nb2O5；玻璃相是由摩尔比为x：（1‑x）（x=1,0.85,0.7,0.54,0.37,0）的SiO2、H3BO3；晶相与玻璃相摩尔比为4：1。本发明制得的铌酸钾钠基储能微晶玻璃材料介电损耗低；本发明加入的H3BO3，使玻璃网络更为致密，从而得到更高的击穿强度。形成高介电常数的NaNbO3相，最终得到高储能密度玻璃陶瓷材料。
📄 2019100219581
📂 C03C10_00
👤 深圳万知达科技有限公司
📅 2019-01-10
本发明公开了一种连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。连续相演变微波介质陶瓷材料，其特征在于：化学通式为(1‑x)Li3MgAO5‑xLi2BO3，其中，A为Nb5+、Ta5+或Sb5+五价离子中的一种或两种的混合，B为Ti4+、Sn4+或Zr4+四价离子中的一种或两种的混合；x取值范围为0.7≤x≤0.9。微波介质陶瓷材料的晶相随着x取值的增大，从立方岩盐相向单斜岩盐相连续演变。采用本发明所述的连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的微波介质陶瓷材料品质因数低、介电常数宽范围调节差的问题。
📄 2025114849708
📂 C04B35_462
👤 成都信息工程大学
📅 2025-10-17
本发明涉及电子信息功能材料技术领域，尤其涉及一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法，化学式为(Y0.2B0.2C0.2D0.2E0.2)2BaZn1‑xMgxO5，其中，B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种，0＜x＜0.1，发明还提供一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的制备方法，包括配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、长时煅烧并退火。本发明制得的材料具有高熵化的纯相正交晶体结构，微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹，具有高品质因数和小的谐振频率温度系数，介电常数在14~18之间，高Q×f值在30,000到70,000 GHz之间，τf值在‑30~‑8 ppm/°C之间可调。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，适用于高频化微波通信系统。
📄 2024104205697
📂 C04B35_50
👤 成都信息工程大学
📅 2024-04-09
本发明公开了三元层状MAX相陶瓷材料催化剂及其制备方法和应用，所述三元层状MAX相陶瓷材料催化剂的制备方法包括以下过程：在氟化剂的作用下，MAX相陶瓷材料中的A原子层被氟化，制得所述三元层状MAX相陶瓷材料催化剂；其中，所述MAX相陶瓷材料为Ti3AlC2、Cr2AlC、V2AlC、Nb2AlC中的至少一种。本发明方法制备三元层状MAX相陶瓷材料催化剂的周期短、且操作简单，所制备的催化剂为具有三元层状的过渡金属催化剂，其在含氟烷烃脱HF制备含氟烯烃反应中具有良好的催化活性和稳定性。
📄 2019108923864
📂 B01J27_22
👤 浙江工业大学
📅 2019-09-20
本发明公开了一种富含不饱和配位的二维陶瓷材料催化剂及其制备方法和应用，所述二维陶瓷材料催化剂的制备方法包括以下步骤：在刻蚀剂的作用下，刻蚀剂中的插层物质将MAX相材料插层剥离制得二维MXene材料，即制得所述二维陶瓷材料催化剂，所述MAX相材料为Ti3AlC2、Cr2AlC、V2AlC、Nb2AlC中的至少一种；所述刻蚀剂为盐酸与LiF的混合物，或者草酸。本发明所制备的催化剂为具有不饱和配位的二维纳米层状催化剂。本发明方法合成的催化剂含氟烷烃脱HF制备含氟烯烃反应中具有良好的催化活性和稳定性。
📄 2019108923737
📂 B01J27_22
👤 浙江工业大学
📅 2019-09-20
柿子坊 · 知识产权运营
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