本发明公开了一种铁氰化镍/还原氧化石墨烯杂化材料的制备方法及其在高选择性电化学去除铯离子中的应用，该方法通过简单的共沉淀方法制备还原氧化石墨烯负载的铁氰化镍纳米粒子，其中铁氰化镍纳米粒子均匀分散在还原氧化石墨烯上，制得的铁氰化镍/还原氧化石墨烯杂化材料在钾离子存在的条件下显示出对铯离子较高的选择性，因此能够用作高选择性电化学去除铯离子的电化学转换离子交换剂。
📄 2018102912518
📂 G01N23_2055
👤 浙江师范大学
📅 2018-04-03
本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种超细高熵固熔体粉末及其制备方法和应用。所述固熔体粉末是将金属氧化物和无定型硼粉为原料粉体，加入溶剂和球磨介质进行混合，干燥后得到混合粉体，将混合粉体模压制成的混合粉末坯体，在真空条件下进行热处理，先升温至800～1200℃保温Ⅰ，再升温至1400～1600℃保温Ⅱ，经研磨过筛制得，所述氧化物为HfO2、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5、Cr2O3、TiO2或MoO3中的一种以上，所述金属氧化物中金属原子间的摩尔比相同。该固熔体粉末存在均一固熔体相，具有颗粒尺寸小，组分均匀稳定的优点。
📄 2018111968758
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-10-15
本发明涉及一种具有屏蔽效应的超结P柱和N‑沟道的4H‑SiC基VDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括P+多晶硅漏极、N+衬底区、P柱屏蔽区、N柱区、P‑电场终止区、二氧化硅隔离层、P+多晶硅栅电极、P+多晶硅源电极Ⅰ、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区；其中P+多晶硅漏电极、N+衬底区、N柱区、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区组成器件的导电区；N柱区和P‑电场终止区组成器件的漂移区；P柱屏蔽区和N柱区组成器件的横向超结。本发明在传统4H‑SiC基VDMOS器件基础上，在垂直漂移区引入超结结构、整体非对称结构以及N‑沟道区，提高了器件的击穿电压，大幅降低了米勒电容和反馈电容，提升了器件的动态性能，降低了沟道电阻和比导通电阻。
📄 2022105062653
📂 H10D62_10
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-10
本实用新型公开了一种电机铁芯片冲压装置，属于铁芯片加工技术领域，包括：冲压机构；承接部件，其设置在冲压机构的一侧，所述承接部件包括可往复运动的斜置承接件；下料部件，其设置在斜置承接件的下端，所述下料部件用于将铁芯片和废料从倾斜下落导向成竖直下落，筛选部件，其设置在下料部件的下侧，所述筛选部件根据直径的不同对铁芯片和废料进行筛选，通过设置下料部件将铁芯片和废料从倾斜下落导向成竖直下落，并在筛选部件的作用下将铁芯片和废料分离，通过将固定框设置在斜置承接件的下方，使得二者之间具有台阶，从而给滑落的铁芯片和废料造成振荡分离效果，通过设置阻拦板使得铁芯片和废料不会发生堆叠。
📄 2023225914266
📂 B21D45_00
👤 宁波市伟伟电机制造有限公司
📅 2023-09-22
已申报项目
本实用新型公开了一种可回收尼龙粉末的涂胶设备，涉及涂胶设备技术领域，包括底座；所述底座底部对称固定有支撑板；所述底座顶部对称固定有两个连接板一、两个连接板二，两个连接板一之间安装有主动滚筒，两个连接板二之间安装有从动滚筒；所述主动滚筒、从动滚筒外壁上套接有传送带；其中一连接板一一端安装有电机一，所述电机一用于驱动主动滚筒；所述底座顶部固定有龙门架，所述龙门架顶部安装有储胶桶，所述储胶桶内部安装有泵体，本实用新型具有对尼龙粉末原料收集的功能，一方面便于对尼龙粉末原料进行清理，另一方面通过对尼龙粉末原料进行回收利用，避免尼龙粉末原料浪费，大大降低了整体的使用成本。
📄 2023212201383
📂 B05B13_02
👤 太仓市克螺松紧固件有限公司
📅 2023-05-19
本发明公开了一种铁钴氧化物核壳磁性颗粒及其制备方法，铁钴氧化物核壳磁性颗粒的核壳结构尺寸直径为4.40μm，壳厚度为1.98μm。本发明提供的一种新的核壳磁性颗粒结构和体系，避免了传统非磁性物质包裹造成的磁性能降低，相较单相Fe3O4的矫顽力有了大幅提升，且工艺简单，Fe3O4与Co3O4两种材料能结合紧密，并且可以实现快速的工业应用，本发明尝试了一种新型的核壳结构，对比同之前使用其他的物质包覆，使用Co3O4包覆的研究还比较少，本发明使用溶剂热结合先制备核再包覆壳的两步法，不仅降低了制备成本，制备出的样品颗粒呈单分散且无团聚。
📄 2023104821001
📂 C01G51_04
👤 南京邮电大学
📅 2023-04-29
本发明公开了一种氧化石墨烯‑磷酸铁钠复合正极材料及其制备方法，包括如下步骤，将氧化石墨烯超声分散于去离子水中，形成氧化石墨烯分散液；在所述氧化石墨烯分散液中加入钠盐、铁盐、磷源，持续磁力搅拌后得到混合均匀的溶液；将所述混合均匀的溶液转移至聚四氟乙烯反应釜中进行水热反应，再使用溶剂对所述水热反应得到的产物反复离心并洗涤后，烘干处理得到混合均匀的粉末将所述混合均匀的粉末放置于管式炉中热处理，得到氧化石墨烯‑磷酸铁钠复合正极材料。制得的复合正极材料具有优异的电化学性能、倍率性能及可逆性能，且操作简单，原料成本低，可大批量制备。
📄 2022105818463
📂 H01M4_36
👤 南京邮电大学
📅 2022-05-26
本发明公开了一种基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法，包括：p电极、P‑GaN层、InGaN有源层、N‑GaN层、N‑电极和光子晶体层。相比传统面发射型激光器在P‑GaN层集成光子晶体微纳结构，本发明采用了薄膜翻转工艺从而实现了N‑GaN表面制备光子晶体结构，解决了表面集成光子晶体型GaN面发射激光器的载流子注入问题，该新的器件结构利于实现电泵激光和优异的激光激射性能。
📄 2021112374119
📂 H01S5_11
👤 南京邮电大学
📅 2021-10-22
本发明公开了一种基于斯特拉森算法的半张量积压缩感知方法，包括：获取多组用于产生频域稀疏的完整信号以及信号长度、采样频率，分别计算它们的信号稀疏度；根据测量率和信号长度获取各组信号所对应的哈达玛矩阵和高斯随机矩阵，作为各组信号的测量矩阵分别进行记录；采用测量矩阵对稀疏化表示的信号进行线性投影，利用斯特拉森算法，得到线性测量值y；利用重构算法对线性测量值y进行处理以重构出原自然信号x。本发明能够减少在进行半张量积压缩感知的过程中，由于矩阵维数过大，运算速率较慢，所导致的整个压缩感知过程的速率较慢的技术问题。从而通过斯特拉森算法降低时间复杂度，减少压缩感知的时间成本。
📄 2021108174209
📂 H03M7_30
👤 南京邮电大学
📅 2021-07-20
本发明公开了一种异质结锡基钙钛矿薄膜的制备方法和产品，包括，配制锡基钙钛矿前驱体混合溶液：分别配制含有A和B不同组分的锡基钙钛矿前驱体溶液，待上述溶液完全溶解后，再将其按照一定的比例混合，得到包含两种不同组分(A/B)的钙钛矿前驱体溶液，称之为钙钛矿前驱体混合溶液；将钙钛矿前驱体混合溶液滴涂在衬底1上，利用一步旋涂法制膜，退火后即得到具有异质结结构的锡基钙钛矿薄膜2。本发明制备的异质结钙钛矿薄膜，能有效提升薄膜的结晶性，且晶粒尺寸更大。该方法简单实用，成本低，易推广，能够有效改善锡基钙钛矿光电器件性能。
📄 2021107138826
📂 H01L51_48
👤 南京邮电大学
📅 2021-06-25
本实用新型公开了一种适用于氟基润滑条件下轴承产品的防锈装置，包括水平板，水平板的底部可拆卸安装有滑动组件，水平板的一侧可拆卸安装有推动组件。上述方案中，防锈装置通过真空封口机和润滑组件的设置，采用防锈袋制作真空袋，通过真空的方式，并向其注入氟基防锈油，使其达到防锈效果，避免了由于如果采用普通包装方式，喷洒防锈油，会起乳化反应，无法达到用户的使用要求，只通过抽真空方式，真空袋容易破裂，失去其防锈能力的问题；防锈装置通过滑动组件和推动组件的设置，操作人员可以通过连接轴来对装置进行推动，避免了由于防锈装置具有一定的重量，需要不同的使用场景时，在转移过程中比较困难的问题。
📄 2022216587260
📂 B65B25_24
👤 大连大友高技术陶瓷有限公司
📅 2022-06-29
本实用新型公开了一种化学药品生产用制粉末设备，包括固定筒，所述固定筒的内部固定安装有制粉罐，所述制粉罐的内部转动连接有制粉座，所述制粉座的顶部开设有二次研磨弧形槽，所述二次研磨弧形槽的上方设置有半球研磨筒，所述半球研磨筒上间隔等距开设有多个过滤孔，每个所述过滤孔的内部均固定连接有过滤网板；通过设置的电动液压缸、第一电机、转轴、研磨半球、多个研磨头和半球研磨筒配合使用，电动液压缸带动研磨半球和多个研磨头下降至半球研磨筒的内部，研磨半球与半球研磨筒之间转动配合，通过多个研磨头进行研磨粉碎，采用自动化的方式进行制粉，节省了人力与时间，同时也会提高整体的操作效率。
📄 2022208077181
📂 B02C19_08
👤 郑州萃智医药科技有限公司
📅 2022-04-09
已申报项目
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