本发明请求保护一种低功耗快速动态比较器,属于微电子技术领域。包括预放大器、比较电路及锁存器,所述预放大器的信号输出端接所述比较电路的信号输入端,所述比较电路的信号输出端接所述锁存器的信号输入端;本发明采用PMOS管构成体二极管结构降低电路的动态功耗,体二极管的栅极接偏置电压端,通过偏置电压调节体二极管的压降,调节比较器的速度,降低电路延时;采用两个背靠背交叉耦合的晶体管作预放大器的负载,提高预放大器的增益,预放大器的两输出端接时钟信号控制的传输门,克服电路电荷失调影响比较器速度的问题;比较电路采用背靠背交叉耦合连接的两反相器构成正反馈的结构,提高比较精度,使系统在一个稳定状态下工作。
📄 2021115205108
📂 H03K5_24
👤 重庆邮电大学
📅 2021-12-13
本发明公开了用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法,属于微电子技术领域。步骤如下:A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H-SiC外延层表面;B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层;C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面;扩散工艺的扩散温度为950℃,时间为1.5-2.5小时,确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H-SiC/SiO2界面;硼扩散工艺后,在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H-SiC/SiO2的界面态密度、提高4H-SiC MOSFET的反型层迁移率,同时稳定4H-SiC MOSFET的阈值电压。
📄 2015106288411
📂 H01L21_04
👤 安徽工业大学
📅 2015-09-28
本发明涉及一种车辆线控转向装置,包括旋转限位机构、箱体及传动机构、安全检测机构;所述旋转限位机构包括支撑板、直线式步进电机、螺母、连接链、突起物、挂钩物、旋转支杆,负责限制两种模式下方向盘的旋转角度;所述箱体及传动机构包括箱体、端盖、第一传动轴、第一齿轮轴、第二齿轮、第二传动轴,负责传递方向盘动力;所述安全检测机构包括轴角编码器、力矩传感器,负责检测方向盘旋转角度及保护旋转限位机构。本发明预设车辆线控转向的两种运行模式,通过各传感器和旋转限位装置,采用微电子技术控制转向系统,在保证行驶安全稳定的情况下降低操作人员的工作负荷,结构简单,易于实现,节能降耗。
📄 2016107241563
📂 B62D5_00
👤 北京神州港俄机电设备有限公司
📅 2016-08-25
本发明公开了用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法,属于微电子技术领域。步骤如下:A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H‑SiC外延层表面;B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层;C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面;扩散工艺的扩散温度为950℃,时间为1.5‑2.5小时,确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H‑SiC/SiO2界面;硼扩散工艺后,在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H‑SiC/SiO2的界面态密度、提高4H‑SiC MOSFET的反型层迁移率,同时稳定4H‑SiC MOSFET的阈值电压。
📄 2017111359933
📂 H01L21_04
👤 安徽工业大学
📅 2015-09-28
本发明公开了一种采用光子烧结技术制备Cu/Cu6Sn5导电油墨的方法,解决现有技术中导电油墨制备装置结构复杂,制造成本高、铜纳米颗粒易氧化,无法满足现有技术对导电油墨制造的大规模生产需求的技术问题。包括以下步骤:1)制备尺寸为20‑30nm纯Cu纳米颗粒;2)Cu纳米颗粒和Cu/Cu6Sn5核/壳颗粒混合物的制备:将Cu离子和Sn离子溶解在还原剂苯肼中,先升温至170℃反应,再升温至200℃反应,制得平均尺寸为2‑3μm颗粒混合物;3)制备初始油墨混合物:将分散剂加入颗粒混合物中,经球磨处理制成;4)采用光子烧结工艺制备复合油墨:在空气中,使用氙气灯产生的脉冲,对其复合油墨进行光子烧结,得到Cu/Cu6Sn5核/壳粒子复合油墨。可广泛应用于微电子技术领域。
📄 202111434143X
📂 C09D11_52
👤 陕西工业职业技术学院
📅 2021-11-29
本发明公开了一种带温度补偿的带隙基准参考电路,属于微电子技术领域,本发明的温度补偿的带隙基准参考通过将分段电流INL以及与温度T1.5成正比的电流IP11加入到传统的一阶带隙基准电路中,即通过将高阶温度补偿电路中的PMOS管MP7的漏电流和PMOS管MP11的漏电流加入到电阻R5上来实现高阶温度补偿,得到基准电压,采用该技术,可得到较小温度系数的基准电压。
📄 2014101099796
📂 G05F1_567
👤 重庆邮电大学
📅 2014-03-24
本发明请求保护一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路,属于微电子技术领域。包括带隙基准电流源偏置电路以及带隙基准核心电路等。本发明采用共源共栅结构为带隙基准核心电路提供偏置电流信号来提高带隙基准的电源抑制比,带隙基准核心电路采用负反馈箝位技术取代传统运算放大器箝位技术来产生正温度系数电流IR2a及IR4,正温度系数电流IR2a在电阻R2a以及正温度系数电流IR4在电阻R4上产生正温度系数的压降分别与NPN型三极管Q3的基极‑发射极电压加权实现高性能的带隙基准参考电压,从而实现一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路。
📄 2019111558692
📂 G05F1_575
👤 重庆邮电大学
📅 2019-11-22
本发明请求保护一种应用于PWM DC-DC转换器的低功耗负载电流检测电路,属于微电子技术领域。包括峰值电流传感模块、采样保持电路、模数转换模块等。本发明采用峰值电流检测模块,采样保持电路、模数转换模块,其中所述的峰值电流检测模块输入端通过开关管接到需要检测续流管的漏级,然后其输出端与采样保持电路的输入连接,采样保持电路的输出端与模数转换电路的输入端连接。所述采样保持电路通过开关电容来获得稳定峰值电流信号,并且通过模数转换模块③转化为数字信号VS[0:3],以VS[0:3]信号的变化来放映负载电流的变化。
📄 2020106271271
📂 H02M3_158
👤 重庆邮电大学
📅 2020-07-02