本发明公开了一种温度稳定型无铅巨介电常数陶瓷材料，其化学组成为(1?x)LiCuNb3O9?xBi(Mg0.5Zr0.5)O3，其中，x为摩尔比，0.02≤x≤0.08；以纯度≥99%的Li2CO3、CuO、Nb2O5、Bi2O3、MgO、ZrO2为原始粉末，分别按LiCuNb3O9和Bi(Mg0.5Zr0.5)O3的组成称量配料；球磨混合后分别在900℃和750℃煅烧8小时合成主粉体；将Bi(Mg0.5Zr0.5)O3粉体添加到LiCuNb3O9主粉体中，使LiCuNb3O9基陶瓷的介电常数高于23000，特别在x=0.04时，介电常数高于48000，测试温度在100?250℃时，介电常数温度变化率(Δε/ε100oC)小(在±15%以内)。本发明具有制备工艺简单，制备成本低的优点，具有强的实用性。
📄 2015100577634
📂 C04B35_495
👤 桂林理工大学
📅 2015-02-04
本发明公开了一种低成本、低密度的温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法。该微波介质陶瓷材料的化学组成式为：Li2O‑3MgO‑mTiO2(4.1≤m≤6)。先将纯度≥99％的高纯粉体Li2CO3、MgO和TiO2按Li2O‑3MgO‑mTiO2(4.1≤m≤6)的化学计量比进行称料；再将步骤(1)原料湿式球磨混合4h，干燥后分别在900～950℃下预烧4h；最后将预烧后的粉体进行二次球磨后，添加5wt％聚乙烯醇进行造粒，造粒后压制成型，最后将坯体排胶后在950～1300℃下烧结4小时。本发明制备的微波介质陶瓷具有适中的介电常数，较高的Q×f值以及较近零的τf值，具有很大的商业应用前景。
📄 2016109692007
📂 C04B35_465
👤 桂林理工大学
📅 2016-11-06
本发明涉及一种添加碳化硅的高导热氮化硅陶瓷材料及其制备方法，将粉末粒度均≤1μm的氮化硅粉末、氧化镁粉末、稀土氧化物粉末和碳化硅粉末依次加入球磨机中，添加成型剂，以无水乙醇为介质球磨混合10～20h，经过喷雾造粒、致密化成型、高温脱胶和高温及高压氮气气氛压力烧结，得到高热导率的氮化硅陶瓷材料。本发明掺杂组分碳化硅在高温和高压氮气作用下Si‑C键被Si‑N键取代，释放碳元素，进而与体系中的氧发生还原反应，降低体系氧含量；同时碳化硅转化为主相氮化硅，不会向体系中引入额外杂质成分，有效提高氮化硅陶瓷材料的热导率，且碳化硅粉末为成熟的工业化产品，化学性能稳定，容易获得，价格低廉。
📄 2022113465533
📂 C04B35_587
👤 洛阳理工学院
📅 2022-10-31
本发明公开了一种原位合成莫来石晶须陶瓷材料的制备方法，主要包括以下步骤：将粉煤灰在高温下煅烧后，采用盐酸处理，经干燥、研磨、过40目筛；将工业芒硝与工业氢氧化铝研磨、烘干、过40目筛；将过筛后的粉煤灰、工业芒硝与工业氢氧化铝装入球磨罐中，充分球磨混合后，高温煅烧，随后随炉自然冷却到室温，得到含莫来石晶须的陶瓷材料。本发明将粉煤灰固废变废为宝、流程简单高效、节能环保，合成出的莫来石晶须具有直径20‑40nm；长5‑10μm，长径比125‑500的显著特征，制备的陶瓷材料抗折强度高，性能好。
📄 2021100371533
📂 C04B35_80
👤 太原科技大学
📅 2021-01-12
本发明涉及陶瓷材料生产加工设备技术领域，且公开了一种蜂窝陶瓷材料的生产装置，解决了陶瓷材料生产用热烘装置一次放置的陶瓷材料较少而导致热烘效率低，同时热烘装置不能全面均匀的对陶瓷材料进行热烘而导致热烘速度慢的问题，其包括L形长板条，所述L形长板条内侧的底部等距离安装有喷气罩，L形长板条内侧的上部等距离安装有喷气管，喷气管的上部均安装有调节机构，L形长板条外侧上部的中部安装有升降调节机构，升降调节机构的顶部连接在调节机构一端的底部之间；本蜂窝陶瓷材料的生产装置一次能够大批量的对蜂窝陶瓷材料进行热烘，同时本生产装置能够有效的对蜂窝陶瓷材料进行旋转调节，使蜂窝陶瓷材料能够全面且均均匀的进行热烘。
📄 2020113909925
📂 B28B11_24
👤 江西艾斯新材料科技有限公司
📅 2020-12-02
本发明公开了一种过滤用微孔陶瓷材料，将二氧化硅浸泡植物纯种，加入环氧改性有机硅树脂和聚乙二醇，并滴加带有发泡剂和聚乙烯吡咯烷酮的异丙醇，得到前驱液，然后进行密炼反应和减压蒸馏反应，最后进行提拉反应和密封加温反应得到微孔陶瓷材料。本发明方法简便，工艺条件温和，生产成本低，材料结构稳定，未经过高温破坏，耐温性能好，耐腐蚀性佳，过滤效果好，截留率好，再生性好。
📄 2016110302670
📂 B01D39_02
👤 绍兴市新汇生物科技有限公司
📅 2016-11-22
本发明公开了一种比较非晶态和晶态陶瓷材料薄膜稳定性的方法，属于薄膜材料制备技术领域。一种比较非晶态和晶态陶瓷材料薄膜稳定性的方法，包括以下步骤：对陶瓷材料非晶态结构和晶态结构进行模拟和计算，得到陶瓷材料非晶态结构和晶态结构的数据集；构建神经网络系统，通过机器学习方法训练陶瓷材料非晶态结构和晶态结构的数据集，获得描述陶瓷材料体系的势函数；基于描述陶瓷材料体系的势函数进行分子动力学模拟，对非晶态陶瓷材料薄膜和晶态陶瓷材料薄膜体系的总能量进行比较，并计算形成能和声子谱；通过比较非晶态陶瓷材料薄膜和晶态陶瓷材料薄膜的总能量、形成能，以及对结构和声子谱的分析，判定非晶态和晶态陶瓷材料薄膜的稳定性。
📄 2024109981478
📂 G16C60_00
👤 陕西科技大学
📅 2024-07-24
本发明公开了一种高透明度无铅钙钛矿陶瓷材料及制备方法，涉及压电陶瓷电介质材料技术领域，方法包括以下步骤：将BaCO3、CaCO3、ZrO2、TiO2和Bi2O3、CuO、WO3混合，得到混合物；对混合物依次进行球磨、烘干和预烧，得到主晶相粉体；对主晶相粉体依次进行球磨、烘干后，再依次进行造粒、压片、烧结，得到无铅钙钛矿陶瓷材料。本申请通过设计制备方法，实现将Bi(Cu3/4W1/4)O3固溶到(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3，制成的无铅钙钛矿陶瓷材料，其内部产生的大晶格畸变，能够获得较好的压电性能，并且在极化后具有相对良好的透过率。
📄 2025112027605
📂 C04B35_49
👤 陕西科技大学
📅 2025-08-27
本发明公开了一种高极化的无铅钙钛矿陶瓷材料及制备方法，涉及储能陶瓷电介质材料技术领域，其中，无铅钙钛矿陶瓷材料由Bi0.5Na0.5TiO3和Ba(Mg0.5W0.5)O3固溶而成。本申请通过将Ba(Mg0.5W0.5)O3引入Bi0.5Na0.5TiO3无铅弛豫铁电体陶瓷中，制成的无铅钙钛矿陶瓷材料，具有较小的晶粒尺寸，且晶粒排列较为致密，几乎没有空隙出现，致密性好；此外，本申请的无铅钙钛矿陶瓷材料通过掺杂Ba(Mg0.5W0.5)O3，在陶瓷的B位产生了较大的晶格畸变，诱导出的饱和极化强度超过了90 uC/cm2。
📄 2025102375005
📂 C04B35_475
👤 陕西科技大学
📅 2025-03-03
本发明公开了一种亚微米细晶结构的高熵钙钛矿陶瓷材料及制备方法，在ABO3的基础上，A位和B位分别掺杂五种元素合成的固溶体，再结合固相方法及特定的制备工艺，制备高熵钙钛矿陶瓷材料，得到的高熵钙钛矿陶瓷材料具有晶粒尺寸极小的亚微米级微观结构，有利于陶瓷中击穿场强的提高，更容易获得大的可回收能量密度和效率。本发明将高熵的概念运用于介电陶瓷材料中，考虑到烧结过程中Na2CO3、Bi2O3的挥发现象，对其进行过量掺杂，探究不同的掺杂含量对高熵钙钛矿陶瓷材料相结构的影响并获得最优掺杂，使实验结果更具有说服力。通过多主元的结合方式以及利用高熵材料特有的效应，使其性能获得提高，为介电陶瓷材料的设计提供新思路。
📄 2023110545367
📂 C04B35_50
👤 陕西科技大学
📅 2023-08-21
本发明公开了一种具有高远红外发射率的碳布负载高熵尖晶石陶瓷材料及其制备方法，该方法包括：碳布酸洗处理；选用Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn和Al过渡金属盐类化合物中的五种按照金属离子摩尔比为1:1:1:1:1的比例配制成水溶液，然后按照过渡金属离子：尿素：氟化铵摩尔比为1:5:7的比例往金属离子水溶液中加入尿素和氟化铵得到混合溶液；将处理后的碳布与混合溶液置入水热反应釜中，封闭于180℃反应8h；冷却后取出清洗、干燥待用；将碳布置入马弗炉升温至400℃热处理2h，冷却得到具有高远红外发射率的碳布负载高熵尖晶石陶瓷材料；本发明提高尖晶石远红外发射材料分散性能，增加发射比表面积，提高单位质量远红外发射率，且制备方法简单、生产能耗低。
📄 202211271959X
📂 D06M11_36
👤 陕西科技大学
📅 2022-10-18
本实用新型涉及电子陶瓷元件加工技术领域，特别公开了一种电子陶瓷元件钻孔装置，包括基座，基座上端部对称开设有燕尾槽，基座上端部中心处固定安装有固定柱，固定柱两端均螺纹安装有螺纹环，固定柱上对称固定安装有第一弹簧，两个燕尾槽内部对称滑动安装有L形板，两个L形板下端部均对称固定安装有燕尾块，两组燕尾块分别滑动安装在两组燕尾槽中，两个L形板内部均滑动安装有夹持机构；夹持机构包括滑板，两个滑板分别滑动安装在两个L形板中，两个滑板内部均螺纹安装有第一螺杆，两个第一螺杆分别转动安装在两个L形板中，该设备避免了传统装置因固定尺寸导致的适用范围局限，显著提升了设备的通用性和使用场景的多样性。
📄 2025211845397
📂 B28D1_14
👤 成都湛艺电子科技有限公司
📅 2025-06-11
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