本实用新型属于高频感应加热设备领域，尤其涉及一种碳化硅逆变功率单元，包括母排吸收电容、水冷板和底座，所述母排吸收电容整齐的摆放在功率底座内底部后方，上方连接母排，水冷板置于底座上部前方，水冷板上固定16个碳化硅功率模块，碳化硅功率模块两端均接阻容吸收电阻，阻容吸收电阻接吸收电容；碳化硅功率模块为管状，四个MOS管并联成为一个桥臂，共组成四组桥臂，上下两个桥臂的中点输出为交流输出的一个端，一共两组上下桥臂，共有两个交流输出排，结构简单，且通过电流流向使功率单元均流性更好，采用水冷板，组装方便，碳化硅功率模块轮流工作，提高工作效率。
📄 2024229568981
📂 H02M1_00
👤 天津应大科讯电气设备有限公司
📅 2024-12-02
本发明公开了一种碳化硅/石墨烯负极复合材料、碳化硅/硼掺杂石墨烯正极复合材料及其制备方法和应用。其中，碳化硅/石墨烯负极复合材料和碳化硅/硼掺杂石墨烯正极复合材料的制备方法，不同于传统的制备工艺，只以聚二甲基硅氧烷这一种物质作为碳源、硅源，利用化学气相沉积法直接制备出碳化硅/石墨烯负极复合材料和碳化硅/硼掺杂石墨烯正极复合材料，原料易得，操作简单，可靠性高，有利于大面积制备。制备的碳化硅/石墨烯负极复合材料和碳化硅/硼掺杂石墨烯正极复合材料，在纯的碳化硅材料中引入石墨和硼石墨烯使其电容性能更好，其组装形成的柔性水系不对称电容器，表现出了优异的储能性能。
📄 2021108748345
📂 C01B32_977
👤 天津理工大学
📅 2021-07-30
本实用新型公开了一种单支碳化硅陶瓷膜净水装置，包括底架，所述底架的上表面固定安装有污水腔，所述污水腔的右侧设置有净水腔，所述污水腔与净水腔之间设置有连接环，所述污水腔与净水腔通过连接环固定连接，所述连接环的中部固定安装有过滤网，所述过滤网位于污水腔和净水腔的连接处的内部，所述净水腔的内部设置有陶瓷膜体。本实用新型所述的一种单支碳化硅陶瓷膜净水装置，通过设置的过滤网与陶瓷膜体配合使用，过滤网对污水中的大可颗粒物进行过滤，而陶瓷膜体对污水进行再次过滤，采用双重过滤的模式使过滤更加彻底，同时过滤网对污水中的大颗粒物进行过滤可有效防止大颗粒物对水体通道堵塞，同时防止大颗粒物对水体通道内沿造成损伤。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020228102401
📂 C02F9_02
👤 武汉工程大学
📅 2020-11-27
本发明公开了一种自支撑型双金属催化剂及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：S1.将自支撑载体于溶剂中进行清洗后，干燥；S2.将功能助剂和金属助剂在反应溶剂中搅拌分散，加入金属铂盐前躯体，再加入步骤S1处理后的自支撑载体，进行水热反应；其中所述功能助剂选自葡萄糖、壳聚糖、尿素或三聚氰胺中的任意一种；S3.待反应结束后降至室温，取出自支撑载体进行清洗、烘干处理，即可得到自支撑型双金属催化剂。本发明提供的制备方法简单有效，反应周期短、重复性好等优势，能够免去繁琐的工作电极制备过程，提高效率，节约成本，制备的双金属催化剂电催化氧化甘油活性高，在催化剂领域具有良好的应用前景和广阔的发展空间。
📄 2018110064313
📂 C25B11_091
👤 岭南师范学院
📅 2018-08-30
本发明公开了一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法，包括下述步骤：(1)、选择双数块整形完成的标准晶体，以A和B分别表示每个晶体的两个面；(2)、选择步骤(1)中的双数块晶体，在粘胶台上按照A‑B‑B‑A‑A‑B‑B‑A顺序和方向将双数个晶体粘接成整体；加压12小时；(3)、将步骤(2)粘接加工完成的晶体粘接到切割工件板上，待粘胶彻底冷却后即可进行多线切割。本发明提出了一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法，通过使用双数晶体背向粘胶方法，在增加切割长度的同时，控制了切割晶片的弯曲翘曲，得到低弯曲翘曲度的切割片，给后续加工带来便利，降低了研磨抛光难度，提高了晶片加工质量。
📄 202211184687X
📂 B28D5_04
👤 南通大学
📅 2022-09-27
本发明公开了一种碳化硅炉及其焊接工艺，该碳化硅炉包括炉体、安装在炉体上的炉盘及盖在炉盘上的盖板，炉盘与盖板之间设有隔水条，隔水条、炉盘、盖板均为导电材料，隔水条与炉盘之间的接触面采用氩弧焊方式焊接固定，炉盘上设有安装槽，盖板容置在安装槽内并与隔水条相抵接，隔水条与盖板之间的接触面采用电阻焊方式熔合焊接固定。上述碳化硅炉通过隔水条与盖板之间采用电阻焊方式熔合连接，两者的接触面连接紧密，从而去除了传统技术在盖板上的开孔的问题，避免了传统技术焊接后由于焊缝缺陷而导致渗水的现象发生。
📄 2023105688214
📂 B23K11_36
👤 迪森(常州)能源装备有限公司
📅 2023-05-19
本实用新型涉及开关电源技术领域，具体为一种用于开关电源的碳化硅二极管组件。所述二极管组件包括有二极管外壳、第一侧边散热片、第二侧边散热片、散热孔与凹陷槽，其中第一侧边散热片均匀固定在二极管外壳的一侧，所述第二侧边散热片均匀固定在二极管外壳的另一侧，其中散热孔均匀开设在二极管外壳布置第一侧边散热片的一侧，所述凹陷槽开设在第一侧边散热片上。借助两个侧边散热片以及一侧的散热孔，使得二极管可以进行散热，避免高温在二极管内部形成破坏，可以通过不同二极管外壳上的第一侧边散热片与第二侧边散热片之间的相互错开接触，使得嵌入防松杆通过形变支杆嵌入在凹陷槽的内部，实现多个二极管之间卡合，便于二极管的运输。
📄 2022221114977
📂 H01L23_367
👤 深圳市嘉睿智能电源技术有限公司
📅 2022-08-11
本实用新型提供一种捣打料的捣打制备机，包括保护壳，捣料机构，打碎机构，传输机构，拉扯结构，制备槽，支撑板，控制器，转动轴承，小窗口和大窗口，其中：所述保护壳的前后两侧均设置有支撑板，该保护壳壳壁的内部设置有转动轴承，此保护壳的前侧设置有控制器，且控制器的前侧面依次设置有第一开关，第二开关和第三开关。本实用新型捣料机构，打碎机构和制备槽的设置，工作噪音小，可防止捣料时捣碎的颗粒被弹出捣料槽外，且有效地防止了在工作时因发出的噪音太大而影响工作人员操作的问题的发生。
📄 2021221617609
📂 B02C21_00
👤 枣庄联大密封材料有限公司
📅 2021-09-08
本实用新型提供一种耐火捣打料加工设备，包括工作腔，引料管，搅拌机构，阻通板，载料舱，储料箱，电动机，减振体和连接扣，其中：所述工作腔的上部设置有减振体，减振体的上部放置有电动机，且电动机通过连接扣与搅拌机构相连；所述引料管设置在工作腔的下部，且此引料管的内部设置有阻通板；所述载料舱设置在引料管的下部，且该载料舱的内部设置有储料箱。本实用新型工作腔，搅拌机构和储料箱的设置，安全系数高，便于捣打料的储存，且有效解地决了在进行各种原料的搅拌时各种原料混合不均匀的问题。
📄 2021221624570
📂 B01F27_80
👤 枣庄联大密封材料有限公司
📅 2021-09-08
本发明公开了一种夹层双金属催化剂及其制备方法和在催化定向合成仲胺中的应用,按重量百分数计,催化剂是由82~92%的纳米硅球结构的硅氧化物、负载于硅氧化物上的1~5%双金属纳米粒子及包覆在最外层的5~13%的氮掺杂碳层,形成的三明治型核壳结构;贵金属为Pt、Pd或Ru,廉价金属选自铁族元素Fe、Ni或Co。本发明催化剂中碳层的包覆避免金属活性位点与反应底物的直接接触而导致的毒化或失活,从而提高催化剂反复使用能力。由于廉价金属粒子和贵金属间的电子效应,电子从廉价金属转移至贵金属,铂钴催化剂(PtCo/SiO2@CN)在应用于催化硝基苯和苯甲醛串联制备仲胺时,仲胺的选择性可大于99.9%,苯甲醛的转化率高达100%。
📄 2022110391241
📂 B01J27_24
👤 浙江工业大学
📅 2022-08-29
本发明涉及碳化硅制备技术领域，尤其涉及一种高纯碳化硅材料的制备方法。其以稻壳为原料，包括以下步骤：稻壳预处理，将稻壳依次以水、丙酮、乙醇浸泡，分别浸泡4~8h，然后于110-130℃下烘干11-13h，烘干后磨碎并均匀分散于水热釜；于水热釜加入体积为水热釜容积30%~60%的乙醇，并将水热釜置于150~200℃下8~12h，然后过滤并洗涤固体物，并将固体物于80~120℃下干燥4~8h得到预处理后的稻壳产物；一次碳化；除杂活化，将得到的产物与固体碱和去离子水以1：（2~5）：50的质量比混合后搅拌23~25h，然后于80~100℃下干燥11~13h，蒸发掉75~85%的去离子水；二次碳化；酸洗除杂；硅化；产品除杂。通过本发明的方法可简单、有效、节能地制备得到高纯度碳化硅。
📄 2019104267955
📂 C01B32_977
👤 浙江工业大学
📅 2019-05-22
本发明公开一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法，包括以下步骤：采集碳化硅晶片研磨抛光完整工况的周期振动信号数据，构建碳化硅晶片研磨抛光材料去除特征数据集；建立加工试验工况库，并将振动信号测试值放入匹配的工况库中；对振动信号进行变分模态分解，获取IMF主分量能量谱；构建实际加工特征指数；建立粒子滤波状态估计模型；通过粒子点进行新特征指数构建，并以此迭代实现碳化硅晶片抛光加工状态在线监测。本发明通过对原始振动信号进行变分模态分解，可以有效去除噪声，获得主能量谱，使得后续分析更加准确，抗干扰能力增强。
📄 2022114803378
📂 B24B37_005
👤 浙江工业大学
📅 2022-11-24
柿子坊 · 知识产权运营
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