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本发明公开了一种考虑输入噪声的高斯过程扩展目标跟踪方法，本发明先利用测量噪声的协方差与参考点估计协方差对输入的噪声进行建模，对高斯过程的输出进行泰勒展开，使用高斯近似法对高斯过程的输出进行修正，将高斯过程与滤波器结合，对目标状态进行预测更新。本发明可以对目标的扩展状态和运动状态进行同时估计，该方法通过仿真进行了验证。在更为复杂的电磁环境下，也能得到相比于传统基于高斯过程的扩展目标跟踪更精确的轮廓估计效果。

本发明公开了一种基于磁防护型引脚的可主动调节散热LED灯，包括灯罩底座，密封罩的顶部固定连接有玻璃凸透镜，灯罩底座顶部的中间位置固定连接有控制芯片，控制芯片的输出端固定连接有发光二极管，控制芯片的底部两侧分别固定连接有磁防护引脚机构，灯罩底座靠近中间位置的两侧分别设置有密封插槽，密封罩内部的左右两侧均固定连接有主动散热调节机构。在密封罩内部充入氦气，LED灯工作产生的热量加热密封罩内部的氦气，氦气受热膨胀，受热膨胀的氦气起到驱动的作用，本发明涉及LED灯技术领域。该基于磁防护型引脚的可主动调节散热LED灯，达到了可根据温度的变化适时调节散热插片的位置，实现主动灵活散热，提升LED灯散热效率的目的。

本发明提供了一种吊钩定位系统，包括：GNSS流动站、激光信号发射器、偏摆测量装置以及数据处理装置，GNSS流动站包括导航定位装置和坐标计算装置，用于计算GNSS流动站的天线相位中心三维空间坐标；激光信号发射器用于感应第二吊绳段的摆动，并在第二吊绳段的摆动时垂直向上发送激光信号；偏摆测量装置用于接收激光信号，并根据激光信号测量并计算激光信号发射器的偏摆参数；数据处理装置用于根据GNSS流动站的天线相位中心三维空间坐标计算得到的动滑轮中心的三维空间坐标，以及激光信号发射器的偏摆参数，计算得到吊钩的三维空间坐标。准确定位吊钩的位置。本发明还提供一种建筑施工塔式起重机。

本申请适用半导体材料技术领域，提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜，包括：将硫源和钼源置于加热装置内，于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量，分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，硫源放置于刚玉舟内；钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片，并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜，能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入，能极大减小干扰因素，其良好的亲水性亦能极大地铺展熔融玻璃，提高化学气相沉积反应，能够实现高质量大单晶低成本二硫化钼半导体薄膜制备。

本发明公开了一种磁性十二面体铁酸镧吸附剂的制备方法和应用，该方法包括以下步骤：将六水硝酸镧配置成硝酸镧水溶液；在硝酸镧水溶液中加入乙酰丙酮，然后再加入氨水，形成白色絮状沉淀；随后加入亚铁氰化钾溶液形成白色沉淀，沉淀经过离心分离、去离子水洗涤三次、无水乙醇洗涤三次，烘干得到白色前驱体；将所得的前驱体用控温马弗炉进行高温煅烧，自然冷却后得到磁性十二面体铁酸镧。本发明的磁性十二面体铁酸镧可以用于吸附水体抗生素领域。

本发明提供了一种HoSrMnZn共掺铁酸铋/Mn掺铁酸锌复合薄膜及其制备方法，该复合膜包括复合在一起的Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3铁电膜和Zn1‑xMnxFe2O4磁性膜；先在基片上旋涂制备多层Zn1‑xMnxFe2O4磁性薄膜，然后在磁性薄膜上旋涂制备多层Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3膜，得到该复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，用多种元素掺杂对铁电膜晶体结构进行调控改善薄膜的铁电性能，提高铁电测试和漏电流测试的抗击穿性能，同时用强磁性尖晶石结构的Zn1‑xMnxFe2O4作为磁性层，获得优异磁电耦合性能的复合薄膜。