搜索"河源市众拓光电科技有限公司"相关 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

一种耦合板HEMT器件

实用新型已授权

本实用新型公开了一种耦合板HEMT器件，在基底层上设置包括栅极、第一钝化层、第二钝化层和感应金属板的耦合板，其中T型栅通过高介电常数的第二钝化层对感应金属板的耦合效应实现了类似于场板的作用，降低了栅极靠近漏极侧的电场峰值，有效提升了HEMT器件的击穿电压，同时避免了大面积场板带来的寄生电容效应，实现了兼顾高耐压与高频率的HEMT器件。本实用新型可广泛应用于半导体技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

📄 2022225058340 📂 H01L29_778 👤 河源市众拓光电科技有限公司 📅 2022-09-21

¥0.0 元

咨询

一种InGaN基探测器

实用新型已授权

本实用新型公开了一种InGaN基探测器，通过在衬底和InGaN纳米柱之间设置III‑VI族化合物薄膜的功能层，其中，III‑VI族化合物薄膜具有高载流子迁移率的优点，提升了InGaN基探测器在紫外波段的光吸收能力，从而提升了InGaN基探测器的性能；同时，III‑VI族化合物薄膜调控了衬底和InGaN纳米柱的异质结界面势垒，优化了InGaN异质结的界面接触以及能带结构，促进了InGaN基探测器中光生载流子的快速分离，从而进一步提升了InGaN基探测器的性能。本实用新型可广泛应用于半导体技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

📄 2022225052753 📂 H01L31_102 👤 河源市众拓光电科技有限公司 📅 2022-09-21

¥0.0 元

咨询

一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成方法及器件

实用新型已授权

本实用新型公开了一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成器件，包括从上到下依次排列的HEMT外延衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源漏栅电极、第二钝化层、键合金属层、LED的N电极、第一钝化层、Bar金属层、Ag反射层、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、第三钝化层LED的P电极；所述LED的n电极以嵌入式电极的形式均匀设置于所述器件内的孔状结构中。本实用新型可以有效提高集成器件的光效，增加HEMT器件的饱和电流，实现集成器件在大电流下的高光输出功率。

📄 2022217629203 📂 H01L27_15 👤 河源市众拓光电科技有限公司 📅 2022-07-06

¥0.0 元

咨询

一种用于GaN功率器件高阻层外延结构

实用新型已授权

本实用新型公开了一种用于GaN功率器件高阻层外延结构，包括衬底，以及从下到上依次形成于衬底上的：成核层、应力控制层和高阻GaN层，其中，高阻GaN层包含周期交替的Fe掺杂GaN层与自主C掺杂GaN层，这种周期交替类似超晶格的生长方式，极大的减弱了Fe源掺杂所带来的记忆效应，避免了Fe源记忆效应对GaN沟道的影响，同时又能弥补自主C掺杂的不均匀性，全面保证高阻层的耐压特性。本实用新型的外延材料在保持高阻特性的情况下，弥补了现阶段主流高阻层生长方法的不足，实现了材料耐压稳定性提升。

📄 2022213258261 📂 H01L29_06 👤 河源市众拓光电科技有限公司 📅 2022-05-30

¥0.0 元

咨询

成功交易案例

🔬

固态锂电池电解质专利包

转让方：中国科学院××研究所
受让方：××新能源科技有限公司
交易类型：独占许可
交易金额：¥320万

🧬

CRISPR基因编辑技术

转让方：××大学
受让方：××生物医药有限公司
交易类型：转让
交易金额：¥1,200万

⚡

SiC功率器件工艺专利

转让方：××半导体有限公司
受让方：××汽车电子集团
交易类型：转让
交易金额：¥680万

☀️

钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
受让方：××能源集团
交易类型：开放许可
交易金额：¥50万/年

专利交易市场

一种耦合板HEMT器件

一种InGaN基探测器

一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成方法及器件

一种用于GaN功率器件高阻层外延结构

求购专区 · 发布技术需求，卖家在线应标

交易保障 · 安心交易

资金托管

权属尽调

合同审核

全程代办

交易流程 · 六步完成专利交易

成功交易案例

固态锂电池电解质专利包

CRISPR基因编辑技术

SiC功率器件工艺专利

钙钛矿光伏组件技术

服务项目

资源中心

关于柿子坊