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本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种集成电路全抗静电基座制作方法。在电路基板上蚀刻出多条间距相同且相互平行的接地线；将N根长度相同的针状电极通过导电环沿与接地线垂直的方向平行固定于接地线上；注塑绝缘填充浆，并对注塑形成的基体进行边缘切割使接地线两端裸露，形成单层电极基体；重复以上操作，得到M个单层电极基体；将M个单层电极基体层叠固化为基座胚体a；环绕基座胚体镀覆导电层，形成基座胚体b；沿相邻接地线的间隙方向将基座胚体b切片，得到若干个集成电路全抗静电基座。该制作方法制作出的基座可用于集成电路与电路板相连接，使所连接集成电路的每一个引脚得到抗静电保护。这样可节省大部分用于在芯片内部制作静电防护的晶源面积，同时使芯片的安全性得到充分的保障。

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种集成电路全抗静电基座。包括针状电极、导电环、接地线、绝缘填充体和接地外环，针状电极为电压诱变阻膜包线，针状电极阵列分布于所述接地外环内，每行针状电极均垂直设有一条接地线，每个针状电极上均紧密套固有一个导电环，导电环与接地线导电连接，接地线两端与所述接地外环导电连接，接地外环与针状电极、导电环、接地线之间通过绝缘填充体密封固定，每个针状电极的两端均不低于所述绝缘填充体的表面。将可能进入芯片的超过300V的高压脉冲提前吸收并钳位在一个较低的电压，节省了在芯片内部大量的用于制作静电防护的晶园面积，从而大大提高晶园利用率，在降低芯片成本的同时又使芯片的安全性得到充分的保障。

本发明公开一种多层瞬变高压脉冲能量吸收双对称矩阵板和电路板及其制造方法；它包括基本功能箔，所述基本功能箔由中间电压诱变阻的功能材料层和分别附着的功能材料层上、下表面的上金属箔层和下金属箔层组成，所述上金属箔层和下金属箔层的金属箔均刻蚀成的多行、多列的条形金属块构成的条形金属块阵列，使第一矩阵层上的条形金属块一端与对应第二矩阵层上的条形金属块另一端部分重叠；PCB板矩阵板和普通电路板；采用该矩阵板制造瞬变脉冲能量全吸收PCB板，可极大地简化生产工艺，保障产品的成品率。