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摘 要:本发明公开了一种铜互连阻挡层材料用吡啶基Mn(Ⅱ)化合物,属于微电子材料技术领域。本发明所得到的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物可以用作CVD/ALD的前驱体,通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺,制备Mn基薄膜如MnSiOx。本发明的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物(1)合成方法简便,条件温和,大大降低了前驱体材料的合成成本;(2)在正己烷,甲苯,乙醚,二氯甲烷,四氢呋喃等有机溶剂中都有较好的溶解性,使得材料运输,输送,加工过程变得简便易操作;(3)有良好的挥发性和热稳定性,常压下三甲基硅氨基吡啶锰前驱体的T50为255℃,最小残余量达3.3%;(4)具有良好的成膜性能,三甲基硅氨基吡啶锰前驱体以N2为载气,O2为氧源450℃条件下,可形成良好的CVD MnSiOx膜。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711351136.7 | 专利名称: | 一种铜互连阻挡层材料用吡啶基Mn(Ⅱ)化合物 |
申请日: | 2017-12-15 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C07F13/00搜分类 化工有机化合物搜索 |
公开/公告日: | 2019-08-20 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108047274B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |