一种高维持MOS辅助触发SCR结构的瞬态电压抑制器

摘     要：一种高维持MOS辅助触发SCR结构的瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域，可用于提高芯片的抗ESD能力。该器件包括嵌入式MOS、SCR、BJT结构和金属线，其中由PNP、NPN与PMOS辅助SCR结构的正向ESD电流泄放路径，以及由NPN、PNP与NMOS辅助触发SCR结构的反向ESD电流泄放路径SD电流泄放路径，不仅具有低触发、高维持电压的小电压回滞特性，还具有强ESD鲁棒性，与单向瞬态器相比，所述瞬态电压抑制器的单位面积ESD防护能力强。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

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