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摘 要:本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器电极,该电极可有效解决垂直腔面发射半导体激光器电极制备工艺复杂、光面积小的问题。该电极为石墨烯材料,用化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜制备在铜箔上,然后通过有胶迁移的方式将石墨烯薄膜迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P‑DBR侧的外表面,最后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线。这种电极利用石墨烯材料零带隙、高的导电导热特性,有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积,同时具有较好的导电特性和散热特性,使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入,器件产生的热量能够快速有效散失,实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710352038.9 | 专利名称: | 一种垂直腔面发射半导体激光器制备方法 |
申请日: | 2017-05-19 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7186号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/042搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2020-05-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107069423B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |