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摘 要:本发明公开了一种窄线宽半导体激光器及这种激光器的制备方法。该方法公开一种半导体激光器结构,这种激光器结构制备在衬底上,由衬底往上依次为N型缓冲层、N型下限制层、N型下波导层、激光器有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型盖层。采用PECVD方法在该激光器结构外延片上制备掩膜,利用诱导耦合等离子体刻蚀技术制作激光器的脊形波导。采用诱导耦合等离子体刻蚀在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810000258.X | 专利名称: | 一种窄线宽半导体激光器 |
申请日: | 2018-01-03 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市卫星路7186号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/34搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2020-12-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108054634B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |