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24小时咨询热线摘 要：本发明提供了一种中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件，涉及半导体器件技术领域，包括依次设置于衬底上的过滤缓冲层、n型波导层、n型限制层、有源区、p型限制层、p型波导层和p型覆盖层；过滤缓冲层包括InxGa1‑xAsySb1‑y，其中，0 著 录 项：
专利/申请号：
CN202011298766.4
专利名称：
中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件
申请日：
2020-11-18
申请/专利权人
长春理工大学
专利类型：
发明
地址：
吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
专利状态：
已下证
查询审查信息
分类号：
H01S5/028搜分类
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公开/公告日：
2021-11-26
转让价格：
面议
公开/公告号：
CN112421375B
交易状态：
等待洽谈
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| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
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| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
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| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
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| 日期 | 法律信息 | 备注 |
