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24小时咨询热线摘 要：本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种雪崩二极管及其制备方法。本发明提供的雪崩二极管，包括InP衬底层和依次层叠设置于所述InP衬底表面的n型InP缓冲层、i型In0.53Ga0.47As吸收层、i型InGaAsP渐变层、n型In0.53Ga0.47As阻挡层、n型InP电荷层、i型InP倍增层和p型InP帽层。本发明提供的雪崩二极管在i型InGaAsP渐变层和n型InP电荷层之间设置n型In0.53Ga0.47As阻挡层，本发明提供的雪崩二极管通过对雪崩二极管结构的改变，使雪崩二极管具有低暗电流和高倍增因子。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN202110406886.X | 专利名称： | 一种雪崩二极管及其制备方法 |
| 申请日： | 2021-04-15 | 申请/专利权人 | 长春工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 吉林省长春市朝阳区延安大街2055号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L31/107搜分类 电子元器件 电子设备和元器件搜索 |
| 公开/公告日： | 2022-09-06 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN112968071B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/09/06 | 授权 | |
| 2021/07/02 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 31/107 专利申请号: 202110406886.X 申请日: 2021.04.15 |
| 2021/06/15 | 公开 |
