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24小时咨询热线摘 要：本发明涉及一种碳化硅与硅混合并联开关驱动电路。根据不同的拓扑结构可通过调节驱动电路的参数达到4种驱动模式的需求。本发明包括一个用于驱动高压开关管的驱动器(Driver)，以用来接收处理器发出来的PWM信号；在驱动高压SiCmosfet的电路中，驱动器(Driver)与SiCmosfet之间添加了两组辅助电路，电容Cd1一端与原有的驱动器(Driver)相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)源极相连，另一端与电阻Rd1相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)栅极相连，电阻的另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连，辅助电路②包含电容Cd2、电阻Rd2、和一个低压的P沟道MOSFET(Sd2)；电容Cd2与低压的N沟道MOSFET(Sd1)漏极相连，电阻Rd2一端与低压的P沟道MOSFET(Sd2)的栅极相连，另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN202010580501.7 | 专利名称： | 碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路 |
| 申请日： | 2020-06-23 | 申请/专利权人 | 西安工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市未央区学府中路2号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H02M1/088搜分类 电力 开关插座 硅 港口 电路搜索 |
| 公开/公告日： | 2023-05-02 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN111669034B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2023/05/02 | 授权 | |
| 2020/10/13 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H02M 1/088 专利申请号: 202010580501.7 申请日: 2020.06.23 |
| 2020/09/15 | 公开 |
