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一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区

Name: 一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区
Brand: 南通大学
SKU: 2020102488706
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010248870.6 📄 发布日：2026/04/08

著录项目信息

申请日

2020-04-01

公开号

CN111313677B

公开日

2021-08-27

申请人

南通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H02M1_38

IPC 分类号

H02M1_38 , H02M3_158 ,

技术画像

所属领域

直流-直流变换器 DC-DC变换技术功率半导体器件应用同步整流控制直流-直流变换器

应用场景

新能源汽车, 光伏发电, 储能系统, 工业电源, 数据中心供电

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摘要

本发明公开了一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流‑直流变换器死区设置方法，包括以下步骤：S1、获取变换器输出电压及输入电感电流；S2、通过SiC MOSFET及其驱动的数据手册获取相关参数信息；S3、利用所提公式计算SiC MOSFET漏源电压为输出电压时的输出电荷；S4、利用所提公式计算死区时间一T1，并将续流SiC MOSFET关断后的死区设为N倍的死区时间一，1.5≤N≤2；S5、利用所提公式计算死区时间二T2；S6、将死区时间二T2与N倍的T1及变换器允许的最大死区时间Tmax比较，并根据比较结果将主动SiC MOSFET关断后的死区设为死区时间二、N倍的T1或最大死区时间。本发明不仅可以同时降低二极管与输出电容带来的损耗，而且无需死区设置硬件电路，实现简单，成本较低。

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是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN111313677B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：94 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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