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纳米级硅材料及其制备方法、负极及锂离子电池

来源:https://www.shizifang.com  发布日:2023/10/17

摘     要:本发明提供了一种纳米级硅材料及其制备方法、负极及锂离子电池。所述纳米级硅材料的制备方法,包括:S1,提供硅酸钠溶液以及氯化铵溶液,其中,所述硅酸钠溶液以及所述氯化铵溶液分别为将硅酸钠以及氯化铵溶解于去离子水与乙醇的混合溶剂中形成;S2,将所述硅酸钠溶液与所述氯化铵溶液在高速搅拌过程中进行缓慢滴定,得到白色沉淀;S3,将所述白色沉淀通过乙醇洗涤后分离;S4,将分离后的白色沉淀烘干并在465~475℃高温反应得到SiO2;S5,将SiO2和Mg按照摩尔比1:1.05~1.2,在氮气保护下640~660℃完全反应;S6,将反应后的Mg和MgO溶解,并离心洗涤、干燥得到纳米级Si。

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专利/申请号: CN202110661513.7 复制 专利名称: 纳米级硅材料及其制备方法、负极及锂离子电池 复制
申请日: 2021-06-15 申请/专利权人
专利类型: 发明 地址:
专利状态: 已下证 查询审查信息 分类号: C01B33/021搜分类   锂电池 硅 材料及其制备方法 纳米搜索
公开/公告日: 转让价格: 面议
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    专利证原件(若授权下证) 专利证原件(若授权下证)

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