一种SiC单晶片抛光方法

摘     要：本发明公开一种SiC单晶片抛光方法，采用含有还原剂、氧化剂、催化剂等化学物质的抛光垫，在抛光压力的作用下，SiC单晶片与抛光垫表面的凸峰相接触，产生摩擦及摩擦热，还原剂释放出氧气，在催化剂及摩擦热等的作用下，氧气与SiC单晶片表面发生氧化反应，在表面生成一层SiO2层，然后由具有自退让功能的磨粒去除；此过程交替进行，实现SiC单晶片表面全局被平坦化。由于采用具有自退让功能的磨粒，磨粒能够随抛光压力的变化而上下退让，当磨粒尺寸不一致或磨粒的凸刃高度不同时，通过磨粒的自退让性，使得加工中磨粒的凸刃高度随压力的变化而变化，控制加工中每个磨粒的切深。抛光后SiC单晶片表面质量高，成本低，废物排放低。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2023/04/28	授权
  2021/11/09	实质审查的生效	IPC(主分类): B24B 37/24 专利申请号: 202110870849.4 申请日: 2021.07.30
  2021/10/22	公开