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摘 要:本发明涉及微电子材料与半导体器件技术领域,具体涉及一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器。该忆阻器自下而上依次设置为衬底、底电极、第一功能层、第二功能层和顶电极;所述第一功能层和第二功能层为纳米堆叠结构薄膜材料,其中,第一功能层的材料采用HfOy薄膜,第二功能层的材料采用Cu掺杂的TiOx薄膜。本发明中第一功能层HfOy薄膜材料获取简单,易于实现,并且具有高开关比,第二功能层TiOx薄膜中掺入Cu可以加快导电细丝的生成速率,增强导电细丝的稳定性,从而增大忆阻器的开关比,进而实现双功能层提高忆阻器的稳定性、增大忆阻器的开关比,对新一代存储器的研究具有重要意义。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210412902.0 | 专利名称: | 一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器 |
申请日: | 2022-04-20 | 申请/专利权人 | 山东科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省青岛市黄岛区前湾港路579号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2022-08-05 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN114512604B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/08/05 | 授权 | |
2022/06/03 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 202210412902.0 申请日: 2022.04.20 |
2022/05/17 | 公开 |