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摘 要:本发明提供了一种在非硅基底上制造压电薄膜谐振器的方法,包括以下步骤:在硅片上沉积铜薄膜;在铜薄膜上涂覆光刻胶并进行光刻,去除待设置压电薄膜谐振器的下方空气间隙区域的光刻胶;进行电镀沉积铜层、去除光刻胶,获得具有台阶的剥离牺牲层;涂覆聚酰亚胺并对其热处理进行亚胺化、在其上方制作压电薄膜谐振器三明治结构;使用氧等离子体对非压电薄膜谐振器覆盖区域的聚酰亚胺层进行刻蚀;将所得器件置于铜腐蚀溶液中,溶解压电薄膜谐振器周围及其下方的铜,使用涂有聚乙烯醇胶水的滚筒贴于压电薄膜谐振器上方,将其从硅片上进行释放并剥离,再将其转移至所需非硅基底上;用热水冲洗滚筒,使滚筒与压电薄膜谐振器脱离,即可完成制作过程。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910248954.7 | 专利名称: | 一种在非硅基底上制造压电薄膜谐振器的方法 |
申请日: | 2019-03-29 | 申请/专利权人 | 山东科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省青岛市黄岛区经济技术开发区前湾港路579号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03H9/17搜分类 塑料 硅 谐振器 底搜索 |
公开/公告日: | 2019-07-26 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110061715A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/07/07 | 授权 | |
2019/08/20 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H03H 9/17 专利申请号: 201910248954.7 申请日: 2019.03.29 |
2019/07/26 | 公开 |