咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
摘 要:本发明公开了一种单层阻变膜忆阻器的制备方法,其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子,依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理,在现有技术的基础上,从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手,通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用金属阳离子化合价更高、纳米陶瓷烧结温度更低的原料,结合采用更低的煅烧温度,以将其控制成一种不完全的“烧结”,进而大幅增加其内部晶格缺陷和空穴等系列技术手段,简化了制备工艺、缩短了工艺流程、提高了生产效率,并降低了生产能耗和生产制造成本;同时大幅提升了忆阻器的忆阻性能和成品率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711221188.2 | 专利名称: | 一种单层阻变膜忆阻器的制备方法 |
申请日: | 2015-12-25 | 申请/专利权人 | 山东科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省青岛市经济技术开发区前湾港路579号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2018-06-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108110136A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/03/12 | 授权 | |
2018/06/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201711221188.2 申请日: 2015.12.25 |
2018/06/01 | 公开 |