发明专利已授权

用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法

📄 申请号：CN201710291273.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-04-28

公开号

CN107132497B

公开日

2020-05-12

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R33_12

IPC 分类号

G01R33_12 , G01R33_00 ,

技术画像

所属领域

半导体薄膜半导体薄膜霍尔效应测量无损检测

应用场景

半导体材料性能测试, 薄膜质量检测, 霍尔效应参数测量, 半导体器件研发, 科研实验检测

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摘要

本发明涉及半导体材料测量设备领域，具体涉及一种用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法。本发明是在抛光基底上沉积图形化的绝缘膜层，之后在图形化区域内填充内电极、外电极及引线。当测试半导体薄膜霍尔效应时，内电极上表面与被测薄膜下表面形成欧姆接触，霍尔效应仪探针与外电极接触，外电极和内电极由引线导通。因此可避免霍尔效应仪探针直接与被测薄膜表面接触，实现无损测试。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200512

✅ 授权

20170929

?? 实质审查的生效：

20170905

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：15 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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