本公开提供了一种调制碲化铅薄膜中自由载流子吸收的方法及装置，采用射频磁控溅射仪器，所述方案包括：设定相关溅射工艺参数；获取碲化铅薄膜的自由载流子吸收与衬底温度曲线；根据所述曲线确定化学计量比与衬底温度的映射关系；基于所述映射关系，通过调节衬底温度实现所述碲化铅薄膜中自由载流子吸收的调制；获得预设化学计量比的碲化铅薄膜；所述方案通过调节衬底温度，改变制备出的碲化铅薄膜的化学计量比，从而改变薄膜中析出铅元素的量，用于改变杂质散射自由载流子的强度，达到调制自由载流子吸收的目的，进而实现碲化铅薄膜不同化学计量比的可控调节。
📄 2021101600169
📂 C23C14_35
👤 山东师范大学
📅 2021-02-05
本发明涉及半导体材料测量设备领域，具体涉及一种用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法。本发明是在抛光基底上沉积图形化的绝缘膜层，之后在图形化区域内填充内电极、外电极及引线。当测试半导体薄膜霍尔效应时，内电极上表面与被测薄膜下表面形成欧姆接触，霍尔效应仪探针与外电极接触，外电极和内电极由引线导通。因此可避免霍尔效应仪探针直接与被测薄膜表面接触，实现无损测试。
📄 201710291273X
📂 G01R33_12
👤 西安工业大学
📅 2017-04-28
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