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摘 要:本发明公开发表了一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路,包括运算放大器O1,运算放大器O1的负输入端连接电阻R0的一端并共同连接到外加正弦电压源,电阻R0的的另一端接地,运算放大器O1的正输入端直接与输出端相连,运算放大器O1的输出端还通过电阻R1与运算放大器O2的负输入端连接,运算放大器O2的负输入端与运算放大器O2的输出端通过分数阶电容Cq连接,运算放大器O2的正输入端接地,运算放大器O2的输出端与乘法器M1的两个输入端分别连接,乘法器M1的输出端与乘法器M2的一个输入端连接,乘法器M2的另一个输入端连接外加正弦电压源,所述乘法器M2的输出端连接有反相器,提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811488695.7 | 专利名称: | 一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路 |
申请日: | 2018-12-06 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F30/367搜分类 电子 三 港口 电路 磁控搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |