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摘 要:本发明公开了一种Inconel625合金多层多道激光熔覆过程晶体生长数值模拟方法,具体步骤如下:首先定义第一层第一道熔池形状并建立枝晶的形核与生长模型,然后建立溶质分配与扩散模型,再依次建立第一层第二道、第二层第一道、第二层第二道熔池的晶体生长模型,最后编写计算机程序,输入Inconel 625合金热物性参数以及各种激光熔覆工艺参数,导入模拟计算软件,进行计算即可得到模拟结果。本模型相比于实验研究更加的省时省力,节约资源,能够进行不同激光熔覆工艺参数下枝晶生长状况的模拟,为实际激光熔覆工艺的选择提供参考。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010130660.7 | 专利名称: | 一种Inconel 625合金多层多道激光熔覆过程中晶体生长数值模拟方法 |
申请日: | 2020-02-28 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G16C60/00搜分类 激光 过程 CO L LED芯片 生长 晶体生长搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |