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本发明一种Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜,光吸收良好,电阻率低,导电性能优异,其制备方法效率高,制得薄膜质量好。所述制备方法,包括如下步骤,步骤1,制备前驱体溶液;分别制备Se2-离子水溶液和加入氧化石墨烯水溶液的Sn2+离子水溶液;步骤2,薄膜沉积;在室温下,将清洗后的基片放置在沉积容器中,将等体积的Sn2+离子水溶液和Se2-离子水溶液加入到沉积容器中,20min后取出基片,用去离子水淋洗完成一次薄膜沉积;反复沉积5–10次得到沉积薄膜;步骤3,薄膜晶化;沉积薄膜在100℃下干燥1h,或用25–40W紫外灯照射2–3h后得到晶化的Bi掺杂SnSe/rGO复合物薄膜。
📄 2016108592355 📂 C03C17_22 👤 陕西科技大学 📅 2016-09-28
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本发明属于光学薄膜材料领域,特别涉及一种低温固化高强度自清洁减反膜的制备方法。该方法用溶胶‑凝胶法制备出TiO2‑MgF2复合溶胶,采用浸渍‑提拉法在硅硼玻璃表面镀制薄膜。经100℃低温固化3h后,得到在可见光范围内最高透光率可达98%,硬度为5H,且具有自清洁功能的多功能减反膜。
📄 201810494113X 📂 C03C17_22 👤 常州大学 📅 2018-05-22
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本发明涉及一种新型传感器材料及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:室温下,将咪唑类离子液体与纯水混合溶解形成离子液体水溶液,向离子液体水溶液中加入MXene材料得混合液,再于向混合液中滴加苯胺乙醇溶液,减压旋转蒸发浓缩至原体积的三分之一以下,将瓶内液体涂覆于玻璃或陶瓷基板上,随后置于烘箱内进行初烘处理,然后进行大气压等离子体处理,再进行终烘处理,取出冷至室温,即得。优点为,使用离子液体和原位聚合形成的氧化聚苯胺对二维MXene材料进行插层及表面改性,利用介质阻挡放电装置的电压引导扩散和大气压等离子体的促聚合扩散作用,使改性后的MXene材料对NOx气体传感性能显著提升,室温下响应值在80以上。
📄 2022105427737 📂 C03C17_22 👤 北京印刷学院 📅 2022-05-18
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本发明提供了一种高铁磁性能和铁电性能的Bi0.9Er0.1Fe1‑xCoxO3薄膜及其制备方法,以硝酸铋、硝酸铁、硝酸钴和硝酸铒为原料制备Bi0.9Er0.1Fe1‑xCoxO3前驱液,x=0.01~0.03,在基板上旋涂Bi0.9Er0.1Fe1‑xCoxO3前驱液,再经匀胶、烘干、退火,得到高铁磁性能和铁电性能的Bi0.9Er0.1Fe1‑xCoxO3薄膜。本发明设备要求简单,实验条件容易达到,掺杂量容易控制,能够大幅度提高BiFeO3薄膜的铁磁性能,制得的Bi0.9Er0.1Fe1‑xCoxO3薄膜均匀性好,并具有较高的磁化强度和剩余极化强度。
📄 2015106345630 📂 C03C17_22 👤 陕西科技大学 📅 2015-09-29
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本发明公开了一种低角度依赖性蓝色硫化锌结构色薄膜及其制备方法,属于结构色材料制备技术领域。包括先采用化学均匀沉淀法,制备出粒径均一的硫化锌微球纳米颗粒,然后在玻璃或者陶瓷基体表面制备薄膜,还原气氛保护下进行煅烧,使微量有机物炭化,从而得到炭黑均匀分布的蓝色结构色薄膜。本发明制备方法简单,重复性强,解决了化学有机物颜料易褪色,对人体有害的技术难题,同时克服了蛋白石结构光子晶体对基板要求高,镀膜条件苛刻等问题,适用于在多种材质表面构建无随角异色结构色色料,具有广阔的应用前景。制得的蓝色硫化锌结构色薄膜炭黑分布均匀,无角度依赖性,球形度好,粒径均一。
📄 2015106042835 📂 C03C17_22 👤 重庆沃特尔粉末冶金股份有限公司 📅 2015-09-21
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本发明提供一种沿(040)晶面取向生长的BiVO4薄膜的制备方法,将五水硝酸铋和钒酸氨溶于水中,以稀硝酸调节pH值,以柠檬酸为络合剂,制成前驱液,将基板在紫外光照射下进行功能化处理,使基板表面形成羟基层,再将功能化的基板悬浮于前驱液表面,羟基与‑[C6H2O7BiVO3]n‑进行缩聚反应在基板表面异相成核,液相自组装诱导生长制备出非晶态‑O‑[C6HO6BiVO3]n‑前驱薄膜,再经干燥、退火,制得晶化的BiVO4薄膜。本发明工艺简单,实验条件要求较低,工艺过程易控制。该方法是对液相自组装技术的成功应用,将本发明的方法应用于BiVO4薄膜的制备,在光催化领域具有广阔的应用前景。
📄 201510149581X 📂 C03C17_22 👤 北京知产汇科技有限公司 📅 2015-03-31
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发明 已授权

Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜及其制备方法

2016108592355 · 陕西科技大学
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发明 已授权
发明 已授权

一种新型传感器材料及其制备方法

2022105427737 · 北京印刷学院
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发明 已授权
发明 已授权

一种低角度依赖性蓝色硫化锌结构色薄膜及其制备方法

2015106042835 · 重庆沃特尔粉末冶金股份有限公司
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发明 已授权

一种沿(040)晶面取向生长的 BiVO4薄膜的制备方法

201510149581X · 北京知产汇科技有限公司
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