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摘 要:本申请提供一种SmFeN永磁体,包括多个SmFeN晶粒和位于所述多个SmFeN晶粒之间的晶界相。所述晶界相包括SmFeXN,其中X为来自熔点低于800℃的金属单质或合金的元素;所述晶界相在所述SmFeN永磁体的至少一外表面的含量大于所述晶界相在所述SmFeN永磁体的中心的含量。本申请还提供该SmFeN永磁体的制备方法和应用该SmFeN永磁体的电机。晶界相除了能够消除SmFeN磁粉加工过程中形成的表面缺陷外,还会在SmFeN晶粒间形成去磁耦合作用的无磁晶界层,从而实现SmFeN磁体的矫顽力的提升。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110821453.0 | 专利名称: | SmFeN永磁体及其制备方法、电机 |
申请日: | 2021-07-20 | 申请/专利权人 | 华为技术有限公司,浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01F1/059搜分类 机电 F 永 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |