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发明专利
已授权
一种提高铁基纳米晶合金薄带电阻率的方法及合金薄带
📄 申请号:CN202110448575.X
📄 发布日:2026/06/08
著录项目信息
申请日
2021-04-25
公开号
CN113113205B
公开日
2024-01-30
申请人
福建尚辉润德新材料科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01F1_153
IPC 分类号
H01F1_153
,
C22C45_02
,
C22C33_06
,
技术画像
所属领域
铁基纳米晶合金
铁基纳米晶合金
软磁合金
纳米晶薄带
应用场景
变压器铁芯, 电感器磁芯, 高频磁性元件, 电机定子铁芯, 传感器磁芯
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摘要
本发明提供一种提高铁基纳米晶合金薄带电阻率的方法及铁基纳米晶合金薄带。本发明通过采用纳米二氧化硅分散液和铁粉混合后除去分散液中的溶剂,形成铁粉/纳米二氧化硅复合物,再在铁基纳米晶合金的熔炼工序中加入铁粉/纳米二氧化硅复合物,使得纳米二氧化硅的重量为铁基纳米晶合金重量的0.05~0.2%。本发明采用纳米级别的二氧化硅既可以有效提高铁基纳米晶合金薄带的电阻率,同时对铁基纳米晶合金薄带的韧性影响较小,具有较好的实用性。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种Parylene粉末在铁基软磁复合材料中的应用方法
当前第 / 件
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