CMOS迟滞过温保护电路

摘     要：CMOS迟滞过温保护电路，包括由PNP晶体管Q0、电阻R2、电阻R3、电阻R4和PMOS开关管M11组成的核心过温控制电路1，PMOS开关管M11栅电压为保护电路输出电压Vout，所述PMOS开关管M11与电阻R4并联，并联的一端接电源电压，并联的另一端与所述电阻R3一端相连，所述电阻R3的另一端与PNP晶体管的基极相连，所述PNP晶体管Q0的发射极与电源电压相连，所述PNP晶体管Q0的集电极与所述电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端与地电压相连。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2016/02/24	授权
  2013/08/07	实质审查的生效	IPC(主分类): H03K 19/0175 专利申请号: 201310099678.5 申请日: 2013.03.26
  2013/07/10	公开