发明专利已授权

一种低温烧结SiO₂基微波介质陶瓷材料及其制备方法

📄 申请号：CN201810349604.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-04-18

申请人

常熟理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01B3_12

IPC 分类号

H01B3_12 , C04B35_14 , C04B35_622 ,

技术画像

所属领域

介质陶瓷材料微波介质陶瓷低温烧结技术电子陶瓷材料介质陶瓷材料

应用场景

5G通信, 卫星通信, 微波通信, 射频滤波器, 雷达系统

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摘要

本发明公开了一种低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料，由以下质量比组分原料烧结制成：非晶SiO2粉末︰MgF2粉末︰MnCO3粉末＝1︰(0.05‑x)︰x，0.015≤x≤0.03，所述低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的主物相是晶态SiO2。本发明还公开了低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，S1、按比例混合MgF2粉末和MnCO3粉末，并进行加热保温处理得到复合助烧剂粉末；S2、按比例混合复合助烧剂粉末与非晶SiO2粉末进行湿法球磨得到混合物；S3、烘干步骤S2获得的混合物并造粒压制成坯料，将坯料进行烧结得到陶瓷材料。本发明低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料原料来源广泛、制备方法简便，获得的陶瓷材料介电常数低，品质因数高，烧结温度低，可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200602

✅ 授权

20181026

?? 实质审查的生效：

20180928

📄 公开

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