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摘 要:本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺,包括如下步骤:凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明为了提高β‑Si3N4的转化率,在浆料中添加硼化锆促进α‑Si3N4向β‑Si3N4的转化,可以形成高长径比β‑Si3N4柱状晶相互搭接构成多孔氮化硅陶瓷的孔隙骨架,提高了其强度。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺成本低,工艺简单,所制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、低介电常数且力学性能好。孔隙率在≥50%,介电常数3.3±0.1,抗弯性能在99.89~131.67MPa。最终多孔氮化硅陶瓷微观结构如附图。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811331959.8 | 专利名称: | 一种低介电、高强度多孔氮化硅陶瓷及其制备方法 |
申请日: | 2018-11-09 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01B3/10搜分类 陶瓷搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |