一种低介电、高强度多孔氮化硅陶瓷及其制备方法

著 录 项 目：

摘     要：本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明为了提高β‑Si3N4的转化率，在浆料中添加硼化锆促进α‑Si3N4向β‑Si3N4的转化，可以形成高长径比β‑Si3N4柱状晶相互搭接构成多孔氮化硅陶瓷的孔隙骨架，提高了其强度。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺成本低，工艺简单，所制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、低介电常数且力学性能好。孔隙率在≥50%，介电常数3.3±0.1，抗弯性能在99.89～131.67MPa。最终多孔氮化硅陶瓷微观结构如附图。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注

• 申请号	专利名称	发布日期
  2020109756698	【发明】一种氟塑料绝缘及护套屏蔽控制电缆	2024/08/09
  2020109735687	【发明】一种氟塑料绝缘硅橡胶护套屏蔽计算机电缆	2024/08/09
  2017113352746	【发明】一种用于金属软磁磁粉芯的绝缘全无机粘结剂及其使用方法	2025/02/11
  2022105037651	【发明】具有超高Q值的低介微波介质陶瓷及其LTCC材料	2023/10/17
  2017105774303	【发明】一种高介电性能的Eu3+掺杂铌酸锶钙钠发光铁电陶瓷材料及其制备方法	2023/10/17
  2017105935644	【发明】一种高击穿场强钛酸锆铜镉巨介电陶瓷材料及其制备方法	2023/10/17
  2017105935729	【发明】一种高储能密度氧化铝掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料及其制备方法	2023/10/17
  2017105774318	【发明】高发光热稳定性的Eu-Bi共掺杂钨青铜结构发光铁电陶瓷材料及其制备方法	2023/10/17
  201710050839X	【发明】微波复相陶瓷BAl2SiO6-TiO2及其制备方法	2023/10/17
  2018103496100	【发明】一种超低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法	2025/07/09