发明专利已授权

一种低介电、高强度多孔氮化硅陶瓷及其制备方法

📄 申请号：CN201811331959.8 📄 发布日：2025/11/04

著录项目信息

申请日

2018-11-09

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01B3_10

IPC 分类号

H01B3_10 , C04B35_584 , C04B35_622 , C04B35_63 , C04B35_632 , C04B38_00 , C04B41_00 ,

技术画像

所属领域

先进陶瓷材料先进陶瓷材料多孔陶瓷氮化硅陶瓷

应用场景

雷达天线罩, 电子封装基板, 高温过滤, 航空航天热防护, 半导体设备

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摘要

本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明为了提高β‑Si3N4的转化率，在浆料中添加硼化锆促进α‑Si3N4向β‑Si3N4的转化，可以形成高长径比β‑Si3N4柱状晶相互搭接构成多孔氮化硅陶瓷的孔隙骨架，提高了其强度。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺成本低，工艺简单，所制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、低介电常数且力学性能好。孔隙率在≥50%，介电常数3.3±0.1，抗弯性能在99.89～131.67MPa。最终多孔氮化硅陶瓷微观结构如附图。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种污水采样装置

当前第 / 件

一种发泡剂及其制备方法（需要二次变更）

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