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摘 要:一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极,包括泡沫镍基底、及生长在泡沫镍基底表面的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2包覆层。该自支撑电极的制备方法为:将清洁的泡沫镍浸泡在含有氯化镍、氯化钒、氟化铵、及尿素的前驱体溶液中,进行第一次水热反应;将反应后的泡沫镍浸泡在硫代乙酰胺的水溶液中,120~160℃进行第二次水热反应,反应时间15~24h,得到纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极。本发明的电极材料无需使用粘结剂,生成的电极材料在1M KOH溶液中同时具有OER和HER良好的催化活性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811156337.6 | 专利名称: | 一种纳米森林状的V掺杂的NiS/NF自支撑电极及其制备方法 |
申请日: | 2018-09-30 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/04搜分类 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |