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摘 要:本发明公开了一种硅基垂直腔面发射激光器,包括单晶Si衬底,在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有多层复合结构缓冲层和III‑V族VCSEL激光发射单元。单晶Si衬底的上表面为纳米柱结构,多层复合结构缓冲层由二维BN层、III‑V族化合物和GaAs量子点循环生长组成。本发明利用多层复合结构缓冲层材料特性,可以减小III‑V族VCSEL激光发射单元受到的失配应力,改善材料晶体质量,提升硅基激光器的光电性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111303687.2 | 专利名称: | 一种硅基垂直腔面发射激光器 |
申请日: | 2021-11-05 | 申请/专利权人 | 电子科技大学中山学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省中山市石岐区学院路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/183搜分类 激光搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 25000.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |