发明专利 已授权

一种BGSFMC/CNFO多铁性复合薄膜及其制备方法

📄 申请号:CN201811496676.9 📄 发布日:2026/08/03

著录项目信息

申请日
2018-12-07
申请人
陕西科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

信息存储, 自旋电子器件, 磁电传感器, 微电子器件, 换能器

摘要

本发明提供一种BGSFMC/CNFO多铁性复合薄膜及其制备方法,包括复合在一起的上层膜和底层膜;上层膜的化学式为Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3,多晶扭曲钙钛矿结构,空间群为R3c;底层膜的化学式为Co1‑xNixFe2O4,立方反尖晶石结构,空间群Fd3m,其中,x=0.1~0.5。本发明上层和下层薄膜中都存在Co元素,Co扩散受到抑制,Gd、Sr、Mn元素会向下层扩散,BGSFMC薄膜的结构发生畸变,增强反铁磁(AFM)/铁磁(FM)结,使铁磁性能提高,Ni元素会向上层BGSFMC扩散,增强反铁磁‑铁电结,使铁电性能提高。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20240730
?? 专利权的转移 :
20210727
✅ 授权
20190409
?? 实质审查的生效 :
20190315
📄 公开

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