发明专利已授权

一种BGSFMC/CNFO多铁性复合薄膜及其制备方法

📄 申请号：CN201811496676.9 📄 发布日：2026/08/03

著录项目信息

申请日

2018-12-07

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C03C17_34

IPC 分类号

C03C17_34

技术画像

所属领域

多铁性材料多铁性材料复合功能薄膜磁电复合材料

应用场景

信息存储, 自旋电子器件, 磁电传感器, 微电子器件, 换能器

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摘要

本发明提供一种BGSFMC/CNFO多铁性复合薄膜及其制备方法，包括复合在一起的上层膜和底层膜；上层膜的化学式为Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3，多晶扭曲钙钛矿结构，空间群为R3c；底层膜的化学式为Co1‑xNixFe2O4，立方反尖晶石结构，空间群Fd3m，其中，x＝0.1～0.5。本发明上层和下层薄膜中都存在Co元素，Co扩散受到抑制，Gd、Sr、Mn元素会向下层扩散，BGSFMC薄膜的结构发生畸变，增强反铁磁(AFM)/铁磁(FM)结，使铁磁性能提高，Ni元素会向上层BGSFMC扩散，增强反铁磁‑铁电结，使铁电性能提高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240730

?? 专利权的转移：

20210727

✅ 授权

20190409

?? 实质审查的生效：

20190315

📄 公开

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