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摘 要:本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法,涉及半导体技术领域,本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分,分割成多个正方形的阴极发射区,将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展开复用,并分别呈中心对称地分布在对应的基区P1和P2上,构成二维对称的多元胞集成结构,每个多元胞结构中的两个阴极短路区面积相等。本发明提高了单原胞半导体放电管的散热均匀性,减少了放电管开通时间,明显提高了器件的稳定性和可靠性。本发明可广泛应用于通信领域中的防雷击电子设备。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210006132.6 | 专利名称: | 分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法 |
申请日: | 2012-01-06 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/87搜分类 半导体 布 纺织面料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2014/10/15 | 授权 | |
2012/09/19 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/87 专利申请号: 201210006132.6 申请日: 2012.01.06 |
2012/07/11 | 公开 |