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摘 要:本发明提供了一种纳米氮化硅晶须及其制备方法,属于氮化硅制备技术领域。本发明提供了一种氮化硅晶须的制备方法,包括以下步骤:将四氟化硅气体与氨气进行反应,得到纳米氮化硅晶须;所述反应的温度为490℃~670℃。本发明中四氟化硅与氨气的反应温度远低于常用的氮化硅晶须制备方法中的合成温度—大于1000℃,降低了氮化硅晶须的生长速度,从而得到了直径小的氮化硅晶须。实施例的结果表明,本发明制得的纳米氮化硅晶须直径在45~110nm之间,并且本发明的氮化硅晶须材料高温力学性能优异,1000℃时的高温硬度≥29GPa、室温压缩强度≥640MPa,1000℃压缩强度≥610MPa。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210091067.5 | 专利名称: | 一种纳米氮化硅晶须及其制备方法 |
申请日: | 2022-01-26 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/62搜分类 硅 港口 纳米 氮化硅搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |