发明专利已授权

一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件

📄 申请号：CN201910859024.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-09-11

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R33_07

IPC 分类号

G01R33_07

技术画像

所属领域

磁场传感磁场传感霍尔效应传感器传感器件

应用场景

磁场检测, 电流检测, 位置检测, 工业自动化, 汽车电子

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摘要

本发明公开了一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件。本发明从上到下依次为导电层、绝缘层、薄膜层、缓冲层，所述导电层用于接入控制电压，从而调控薄膜层垂直各向异性的大小，来调节磁性传感器件的灵敏度；其中薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层由CoFeB和MgO构成，当沿垂直于传感器件厚度方向通入的控制电压Us为一固定值时，传感器件横向两电极通入恒定电流I，检测来自于和电流方向一致的外部磁场H，而传感器件纵向两电极用于采集随外部磁场变化的电压，从而实现对外部磁场的检测。本发明可以灵活选择量程范围，准确测量外部磁场。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20211102

✅ 授权

20200225

?? 实质审查的生效：

20200124

📄 公开

灵敏度可调谐的基于谐振腔干涉结构的声波传感器

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