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摘 要:本发明公开了一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件。本发明从上到下依次为导电层、绝缘层、薄膜层、缓冲层,所述导电层用于接入控制电压,从而调控薄膜层垂直各向异性的大小,来调节磁性传感器件的灵敏度;其中薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构,所述的薄膜层由CoFeB和MgO构成,当沿垂直于传感器件厚度方向通入的控制电压Us为一固定值时,传感器件横向两电极通入恒定电流I,检测来自于和电流方向一致的外部磁场H,而传感器件纵向两电极用于采集随外部磁场变化的电压,从而实现对外部磁场的检测。本发明可以灵活选择量程范围,准确测量外部磁场。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910859024.5 | 专利名称: | 一种基于反常霍尔效应的灵敏度可调节的磁场传感器件 |
申请日: | 2019-09-11 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01R33/07搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |