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摘 要:本发明提供了一种有机单晶阵列薄膜的制备方法,包括:在氧化硅基底上施加聚合物绝缘材料;将氧化硅基底放置在加热装置上,并在70‑100℃下进行加热;向氧化硅基底滴加预先配置的混合溶液直至覆盖整个氧化硅基底,混合溶液为有机半导体小分子材料、有机聚合物以及挥发性有机溶剂的溶液,其中,有机半导体小分子材料和有机聚合物在挥发性有机溶剂中均可溶;待混合溶液在氧化硅基底上的液面开始收缩时,将气流均匀地吹向混合溶液的液面的边缘,以推动混合溶液在三相接触线附近成核结晶,从而在氧化硅基底上获得有机单晶阵列薄膜。本发明方案仅需利用加热以及气流即可在短时间(8‑15s)内制备获得较大面积的有机单晶阵列薄膜。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910329579.9 | 专利名称: | 一种有机单晶阵列薄膜的制备方法 |
申请日: | 2019-04-23 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/56搜分类 塑料 阵列 膜的制备方法 单晶搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |