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摘 要:本发明涉及一种半导体复合异质结光电极的制备方法:在负载钒酸铋纳米薄膜的导电基底上沉积厚度为10-60nm的氧化锌薄膜,其中,氧化锌薄膜由锌源和氧源在150℃-200℃下反应得来;将处理后的导电基底放入铜盐水溶液中,在60℃-100℃下发生置换反应,使氧化锌转变成氧化铜,然后在350℃-550℃下退火,形成负载有钒酸铋和氧化铜异质结的导电基底;然后在负载有钒酸铋和氧化铜异质结的导电基底的表面沉积二氧化钛薄膜,其中,二氧化钛薄膜由钛源和氧源在80℃-150℃下反应得来。本发明的异质结具有花瓣状形貌,增大了电极的比表面积,负载的TiO2作为助催化剂,促进了空穴与电解液发生反应,有效的提高了光解水效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810220254.2 | 专利名称: | 半导体复合异质结光电极及其制备方法 |
申请日: | 2018-03-16 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市吴中区吴中大道1188号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01G9/20搜分类 电子元器件 半导体 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2019-09-03 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108389727B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/09/03 | 授权 | |
2018/09/04 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01G 9/20 专利申请号: 201810220254.2 申请日: 2018.03.16 |
2018/08/10 | 公开 |