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摘 要:本发明涉及一种可控高密度等离子体制备装置,包括真空室、位于真空室中的上极板、正对上极板下方的下极板、电感线圈、真空抽气系统,上极板和下极板平行设置且间距可调,电感线圈位于上极板和下极板之间且其轴中心沿水平方向设置,上极板、电感线圈和下极板分别连接有第一电源、第二电源和第三电源,上极板上均布有若干小孔,下极板下表面还连接有加热器,真空室还开设有进气口,进气口内穿设有进气管,进气管与外部的气源连通。本发明可以实现大面积均匀、等离子体密度、离子通量、离子能量的独立调控的等离子体的制备过程,且可在碳化硅基片表面低温条件下制备石墨烯薄膜。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810162630.7 | 专利名称: | 可控高密度等离子体制备装置和石墨烯薄膜的制备方法 |
申请日: | 2018-02-27 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/26搜分类 塑料 石墨烯 等离子体 膜的制备方法搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |