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摘 要:本发明涉及一种钙钛矿发光二极管,包括自下而上依次设置的阳极衬底、空穴传输层、空穴修饰层、活性发光层、电子传输层、阴极修饰层以及阴极电极,空穴修饰层的材质为[9,9‑二辛基芴‑9,9‑双(N,N‑二甲基胺丙基)芴]、聚乙烯亚胺等;性发光层的材质为钙钛矿,钙钛矿选自MAPbCl3、MAPbBr3、MAPbI3、FAPbCl3、FAPbBr3、FAPbI3、CsSnCl3、CsSnBr3、CsSnI3、CsPbClxBr3‑x和CsPbBrxI3‑x中的一种或几种,其中,x=0‑3。本发明还提供了一种其制备方法:在阳极衬底上自下而上依次形成空穴传输层、空穴修饰层、活性发光层、电子传输层、阴极修饰层和阴极电极,封装后形成钙钛矿发光二极管。本发明采用双亲的空穴修饰层修饰空穴传输层,以平衡载流子的注入来制备高效率的薄膜钙钛矿发光二极管。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810058066.4 | 专利名称: | 钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
申请日: | 2018-01-22 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市吴中区吴中大道1188号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/50搜分类 电子元器件 发光二极管 钙 港口 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2020-05-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108258133B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/05/01 | 授权 | |
2018/07/31 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 51/50 专利申请号: 201810058066.4 申请日: 2018.01.22 |
2018/07/06 | 公开 |