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摘 要:本发明涉及一种NO2化学电阻式气体传感器,包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、表面修饰层、活性敏感层以及源漏电极,表面修饰层的材质为含端氨基的硅烷化合物,含端氨基的硅烷化合物的分子式为H2N‑(CH2)n‑SiCl3,H2N‑(CH2)n‑Si(OCH3)3或H2N‑(CH2)n‑Si(OC2H5)3,其中,n=3‑18,活性敏感层的材质为有机半导体。本发明还提供了一种上述NO2化学电阻式气体传感器的制备方法:在基底表面形成平整的绝缘层,然后使含端氨基的硅烷化合物在绝缘层表面进行自组装,形成表面修饰层;在表面修饰层上沉积活性敏感层,在活性敏感层上沉积源漏电极,形成NO2化学电阻式气体传感器。本发明的气体传感器对NO2表现出快速的响应和快速的回复特点,响应灵敏度很高,最低检测限可以达到ppb级别。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711216696.1 | 专利名称: | NO2化学电阻式气体传感器及其制备方法 |
申请日: | 2017-11-28 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市相城区济学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01N27/12搜分类 化学化工 传感器 气 电阻搜索 |
公开/公告日: | 2020-04-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107991353B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/04/10 | 授权 | |
2018/06/01 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G01N 27/12 专利申请号: 201711216696.1 申请日: 2017.11.28 |
2018/05/04 | 公开 |