基于经膦酸或三氯硅烷修饰的ITO玻璃基底的有机电存储器件及其制备方法

摘     要：本发明公开了基于经膦酸或三氯硅烷修饰的ITO玻璃基底的有机电存储器件及其制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：1）清洗ITO玻璃基底；2）形成膦酸或三氯硅烷修饰层；3）形成有机物镀膜层；4）形成电极，最终得到有机电存储器件。通过该方法，本发明制备了一系列三明治型有机电存储器件，制备方法简单、便捷，易于操作；与传统器件相比，开启电压得到降低，多进制的产率得到提升，解决了目前三进制产率较低的难题。对于未来的存储领域而言，具有极高的应用价值。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2018/07/06	授权
  2016/11/09	著录事项变更	发明人由路建美 贺竞辉 侯香变更为路建美 贺竞辉
  2016/08/03	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 51/40 专利申请号: 201610284076.0 申请日: 2016.05.03
  2016/07/06	公开