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  • 专利名称:基于经膦酸或三氯硅烷修饰的ITO玻璃基底的有机电存储器件及其制备方法      申请号:2016102840760     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:机电 IT 硅 存储器件 底 三 港口 三氯硅烷   相似专利 发布日:2023/03/30  
    摘要: 本发明公开了基于经膦酸或三氯硅烷修饰的ITO玻璃基底的有机电存储器件及其制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤:1)清洗ITO玻璃基底;2)形成膦酸或三氯硅烷修饰层;3)形成有机物镀膜层;4)形成电极,最终得到有机电存储器件。通过该方法,本发明制备了一系列三明治型有机电存储器件,制备方法简单、便捷,易于操作;与传统器件相比,开启电压得到降低,多进制的产率得到提升,解决了目前三进制产率较低的难题。对于未来的存储领域而言,具有极高的应用价值。
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