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摘 要:本发明公开了一种基于硅硅键合的隔离封装应力的压力传感器,包括芯片层和支撑层,所述支撑层表面刻蚀出一块用于硅硅键合的凸块,所述支撑层的其他区域与芯片层之间有间隙。这种结构可以避免过多的考虑材料的选择(如低应力的封装衬底和低应力的粘接剂),在较易实现高效热隔离的同时,能抗较大的冲击,因此有广泛的应用场合。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410306360.4 | 专利名称: | 一种基于硅硅键合的隔离封装应力的压力传感器 |
申请日: | 2014-07-01 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01L9/06搜分类 传感器 隔离 硅 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |